[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

生长基板、形成在所述生长基板上的掩模、以及从设置在所述掩模的开口部生长的柱状半导体层，

所述柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层，在比所述n型纳米线层更靠外周形成有有源层，在比所述有源层更靠外周形成有p型半导体层，

所述开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述开口率为0.1％以上3％以下，发光波长为500nm以上。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述有源层中In成分为0.10以上0.40以下的范围。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述n型纳米线层的高度为1000nm以上2000nm以下，

所述开口部的开口直径为100nm以上200nm以下，间距为400nm以上850nm以下。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述n型纳米线层具有半极性面，所述有源层形成在所述半极性面上。

6.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

生长基板、形成在所述生长基板上的掩模、从设置在所述掩模的开口部生长的柱状半导体层，

所述柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层，在比所述n型纳米线层更靠外周形成有有源层，在比所述有源层更靠外周形成有p型半导体层，

在所述生成基板的第一区域中，所述开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上，

在所述生成基板的第二区域中，所述开口部的开口率比5.0％大，发光波长小于480nm，

7.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

生长基板、形成在所述生长基板上的掩模、从设置在所述掩模的开口部生长的柱状半导体层，

所述柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层，在比所述n型纳米线层更靠外周形成有有源层，在比所述有源层更靠外周形成有p型半导体层，

在所述生成基板的第一区域中，所述开口部的开口率为第一开口率，

在所述生成基板的第二区域中，所述开口部的开口率为第二开口率，

所述第一开口率比所述第二开口率小，所述第一区域的发光波长比所述第二区域的发光波长长。

8.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

生长基板、形成在所述生长基板上的掩模、从设置在所述掩模的开口部生长的柱状半导体层，

所述柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层，在比所述n型纳米线层更靠外周形成有有源层，在比所述有源层更靠外周形成有p型半导体层，

在所述生长基板的第一区域和第二区域中，所述开口部的开口率相同，开口直径以及间距不同，所述n型纳米线层的高度相同。

9.如权利要求6至8中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在所述第一区域和所述第二区域之间设置有具有10μm以下的宽度的分离区域，

在所述分离区域的所述掩模上形成有配线图案。

10.如权利要求6至9中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在所述生长基板的所述第一区域、所述第二区域或第三区域中，所述n型纳米线层具有半极性面，所述有源层形成在所述半极性面上。

11.一种半导体发光元件的生长方法，其特征在于，具有：

在生长基板上形成具有开口部的掩模层的掩模工序、和使用选择生长在所述开口部形成柱状半导体层的生长工序，

所述生长工序包括形成n型纳米线层的工序、在比所述n型纳米线层更靠外侧形成有源层的工序、和在比所述有源层更靠外侧形成p型半导体层的工序，

在所述掩模工序中，使所述开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下的范围。