[发明专利]用于沉积和蚀刻的半导体处理腔室

权利要求书

1.一种半导体基板支撑件，包含：

底座轴；

工作台，其中所述工作台限定跨越所述工作台的第一表面的流体通道；

工作台绝缘体，所述工作台绝缘体定位在所述工作台与所述底座轴之间；

传导性圆盘，所述传导性圆盘与所述工作台的所述第一表面耦接并且被配置成接触支撑在所述半导体基板支撑件上的基板；以及

传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着所述工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在所述工作台绝缘体的一部分与所述底座轴之间。

2.如权利要求1所述的半导体基板支撑件，进一步包含

绝缘边缘环，所述绝缘边缘环安置在所述传导性圆盘的凹进壁架上，其中所述绝缘边缘环沿着所述工作台绝缘体的外边缘径向向外延伸，并且其中所述绝缘边缘环接触所述传导性屏蔽件。

3.如权利要求2所述的半导体基板支撑件，其中所述传导性圆盘沿着被配置成接触所述基板的表面包含涂层，其中所述涂层沿着其上安置有所述绝缘边缘环的所述凹进壁架延伸。

4.如权利要求3所述的半导体基板支撑件，其中所述涂层包含与构成所述绝缘边缘环的绝缘材料类似的绝缘材料。

5.如权利要求1所述的半导体基板支撑件，进一步包含：

升降杆组件，所述升降杆组件延伸穿过所述工作台、所述工作台绝缘体、所述传导性圆盘与所述传导性屏蔽件，其中所述升降杆组件包含：

升降杆，

衬垫，

固定器，以及

配重件。

6.如权利要求5所述的半导体基板支撑件，其中所述固定器限定凹槽，所述工作台绝缘体的一部分设置在所述凹槽中。

7.如权利要求1所述的半导体基板支撑件，进一步包含：

RF杆，所述RF杆延伸穿过所述底座轴，所述RF杆与所述工作台电耦接。

8.如权利要求7所述的半导体基板支撑件，进一步包含：

杆绝缘体，所述杆绝缘体沿着所述RF杆的长度围绕所述RF杆延伸。

9.如权利要求8所述的半导体基板支撑件，其中所述底座轴安置在毂上，并且其中所述杆绝缘体延伸进入所述毂。

10.如权利要求8所述的半导体基板支撑件，其中所述杆绝缘体在所述工作台绝缘体的一部分内延伸。

11.如权利要求10所述的半导体基板支撑件，其中所述底座轴与所述工作台绝缘体限定净化路径，所述净化路径在所述工作台绝缘体处延伸至所述杆绝缘体。

12.如权利要求11所述的半导体基板支撑件，其中所述净化路径沿着所述杆绝缘体的内部与外部继续。

13.一种半导体处理系统，包含：

腔室主体；

基板支撑件，所述基板支撑件被配置成支撑半导体基板，其中所述半导体支撑件包含：

底座轴；

工作台，其中所述工作台限定跨越所述工作台的第一表面的流体通道；

工作台绝缘体，所述工作台绝缘体定位在所述工作台与所述底座轴之间；

传导性圆盘，所述传导性圆盘与所述工作台的所述第一表面耦接并且被配置成接触支撑在所述半导体基板上的基板；

传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着所述工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在所述工作台绝缘体的一部分与所述底座轴之间；

面板，其中所述腔室主体、所述基板支撑件与所述面板限定处理区域；

高频等离子体源，所述高频等离子体源与所述面板耦接；以及

低频等离子体源，所述低频等离子体源与所述基板支撑件耦接。

14.如权利要求13所述的半导体处理系统，其中所述基板支撑件包含静电吸盘，所述半导体处理系统进一步包含：

DC电源，所述DC电源与所述基板支撑件耦接。