[发明专利]用于沉积和蚀刻的半导体处理腔室

说明书

示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘，所述传导性圆盘与工作台的第一表面耦接并且被配置成接触支撑在半导体基板支撑件上的基板。半导体基板支撑件可包含传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在工作台绝缘体的一部分与底座轴之间。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年9月8日提交的题为“SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBERSFOR DEPOSITION AND ETCH(用于沉积和蚀刻的半导体处理腔室)”的美国专利申请第17/014,195号的权益和优先权，所述美国专利申请通过引用以其整体并入本文。

本技术涉及以下申请，全部于2020年9月8日同时提交，并且题为：“SINGLECHAMBER FLOWABLE FILM FORMATION AND TREATMENTS(单腔室可流动膜形成和处理)”(代理人案卷号：44018206US01(1190509))、以及“SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBERS FORDEPOSITION AND ETCH(用于沉积和蚀刻的半导体处理腔室)”(代理人案卷号：44018254US01(1192137))。为了所有目的，这些申请中的每一个通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本技术涉及半导体处理。更具体地，本技术涉及用于沉积和处理包括可流动膜的材料的系统和方法。

背景技术

通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺使得集成电路的制造成为可能。在基板上产生图案化材料需要形成和去除暴露材料的受控方法。随着器件尺寸的不断缩小，材料形成可能会影响后续操作。例如，在间隙填充操作中，可以形成或沉积材料以填充形成在半导体基板上的沟槽或其他特征。随着特征可能以更高的深宽比和减小的关键尺寸为特征，这些填充操作可能会受到挑战。例如，由于沉积可能在特征的顶部和沿着特征的侧壁发生，连续沉积可能夹断(pinch off)特征，包括特征内的侧壁之间，并且可能在特征内产生空隙。这会影响器件性能和后续处理操作。

因此需要可用于产生高质量的器件与结构的改良的系统与方法。这些和其他需求由本技术解决。

发明内容

示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘，所述传导性圆盘与工作台的第一表面耦接并且被配置成接触支撑在半导体基板支撑件上的基板。半导体基板支撑件可包含传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在工作台绝缘体的一部分与底座轴之间。

在一些实施例中，支撑件可包含绝缘边缘环，所述绝缘边缘环安置在传导性圆盘的凹进壁架上。绝缘边缘环可以沿着工作台绝缘体的外边缘径向向外延伸。绝缘边缘环可接触传导性屏蔽件。传导性圆盘可沿着被配置成接触基板的表面包含涂层。涂层可沿着其上安置有绝缘边缘环的凹进壁架延伸。涂层可包含与构成绝缘边缘环的绝缘材料类似的绝缘材料。支撑件可包含升降杆组件，所述升降杆组件延伸穿过工作台、工作台绝缘体、传导性圆盘与传导性屏蔽件。升降杆组件可包含升降杆、衬垫、固定器与配重件。保持器可限定凹槽，工作台绝缘体的一部分设置在凹槽中。支撑件可以包括延伸穿过底座轴的RF杆。RF杆可与工作台电耦接。支撑件可包含杆绝缘体，所述杆绝缘体沿着RF杆的长度围绕RF杆延伸。底座轴可安置在毂上，并且杆绝缘体可延伸到毂中。杆绝缘体可在工作台绝缘体的一部分内延伸。底座轴与工作台绝缘体可限定净化路径，所述净化路径在工作台绝缘体处延伸至杆绝缘体。净化路径可沿着杆绝缘体的内部与外部继续。