[发明专利]接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导体装置在审
| 申请号： | 202180055457.0 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN116018884A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 山本翔太;吉村文彦;末永诚一;大关智行 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | H05K3/12 | 分类号： | H05K3/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 采用 陶瓷 路基 以及 半导体 装置 | ||
1.一种接合体，是将金属板和陶瓷基板经由含有Ag的接合层接合而成的接合体，其特征在于：
在所述接合层的由厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按所述接合层的厚度方向的长度×所述正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。
2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于：在所述测定区域在所述正交方向上连续3个连着的三连测定区域中，至少存在1个在所述接合层的所述厚度方向上连着所述贫Ag区的区域。
3.根据权利要求1～2中任一项所述的接合体，其特征在于：所述接合层的厚度方向的长度在10μm以上且60μm以下的范围内。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体，其特征在于：所述接合层含有Sn或In，所述测定区域中的Sn或In的浓度在1at％以上且6at％以下的范围内。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合体，其特征在于：所述陶瓷基板为氮化硅基板，所述金属板为铜板。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的接合体，其特征在于：所述陶瓷基板是厚度为0.4mm以下的氮化硅基板，所述金属板是厚度为0.5mm以上的铜板。
7.一种陶瓷电路基板，其特征在于：采用了权利要求1～6中任一项记载的所述接合体。
8.一种半导体装置，其特征在于：在权利要求7记载的所述陶瓷电路基板上安装了半导体元件。
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