[发明专利]包含光学装置的投射物镜

说明书

本发明关于包含投射物镜(408,107,200)的投射曝光装置(400,100)，投射物镜(408,107,200)包含光学装置(1)，光学装置(1)包含具有光学有效表面(2a)的光学元件(2)以及可通过所施加的控制电压产生变形的至少一个电致伸缩致动器(3)，其中电致伸缩致动器(3)功能性地连接到光学元件(2)以影响光学有效表面(2a)的表面形状。控制装置(4)设置以提供控制电压给电致伸缩致动器(3)，其中提供了测量装置(5)，其配置为至少有时在电致伸缩致动器(3)影响光学元件(2)的光学有效表面(2a)时直接地测量和/或间接地决定电致伸缩致动器(3)和/或其周围环境的温度和/或温度变化，以在由控制装置(4)驱动电致伸缩致动器(3)的过程中考虑温度相关影响。

本申请案主张2020年7月30日申请的美国临时专利申请案第63/058,745号以及2020年11月26日申请的德国专利申请案第10 2020131389.6号的优先权。前述两个申请案的整体内容以引用的方式并入本文而形成本申请案的一部分。

技术领域

包含投射物镜的投射曝光装置，投射物镜包含光学装置、光学元件、用于校正成像像差的组合件，通过直接或间接测量投射物镜内的温度来影响光学元件的表面形状的方法。

本发明关于一种投射曝光装置，其包含投射物镜，投射物镜包含光学装置，光学装置包含具有光学有效表面的光学元件和可通过施加的控制电压来变形的至少一个电致伸缩致动器(electrostrictive actuator)，以及直接附接到光学装置或在附近的温度传感器。

本发明进一步关于通过影响光学元件的光学有效表面的表面形状来驱动投射曝光装置的方法，光学元件为投射物镜的一部分，投射物镜为投射曝光装置的一部分，根据该方法，光学元件在功能上连接到电致伸缩致动器。

本发明进一步关于用于半导体光刻的投射曝光装置，其包含具有辐射源和光学单元的照明系统，光学单元具有至少一个光学装置。

背景技术

由于半导体电路不断的小型化，对投射曝光装置的分辨率和准确度的要求也越来越高。对于影响投射曝光装置内的光束路径等的光学元件也有了相应严格的要求。

为了实现高分辨率，尤其是光刻光学单元的高分辨率，除了分别为248nm或193nm的VUV和DUV波长外，也使用了波长为13.5nm的EUV光。

在EUV投射曝光装置中使用以几乎垂直入射或掠射方式操作的反射镜系统，其中在VUV和DUV系统中的反射镜是以垂直入射的方式使用。可实现的分辨率不断地提高，因此对波前校正的要求也相应更为严格。越来越小的影响越来越重要，从而导致对被动校正手段的需求不断增长，但主要还是主动校正手段。

局部可变形反射镜已知用于投射曝光装置的操作。在这种情况下，局部变形由压电元件作为致动器以薄板膜或薄层的形式进行，参照例如US20020048096。从US7492077已知电致伸缩材料、压电材料、压阻材料、热阻材料、磁致伸缩材料引起的反射镜的局部变形。

发明内容

本发明的目的在于提供用以校正投射曝光装置的投射物镜的成像像差的组合件，其中成像像差可以高设定准确度进行校正。

本发明另外的目的为提供用于影响光学元件的光学有效表面的表面形状的方法，通过该方法可以高设置准确度来影响光学有效表面。光学元件为投射物镜的一部分，投射物镜为投射曝光装置的一部分。

本发明的又一目的为提供用于半导体光刻的投射曝光装置，其包含投射物镜，投射物镜包含具有光学元件的至少一个光学装置，用于以高设置准确度来校正成像像差。

针对投射曝光装置，该目的是通过权利要求1中所提出的特征来实现的。

针对用于影响设置在投射曝光装置中的光学元件的光学有效表面的表面形状的方法，该目的是通过权利要求22的特征来实现的。