[发明专利]制造用于半导体光刻的光学元件的主体的方法和用于半导体光刻的光学元件的主体在审
| 申请号： | 202180077451.3 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN116601534A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | F-J·斯蒂克尔;A·沃尔珀特 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/10 | 分类号： | G02B5/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 用于 半导体 光刻 光学 元件 主体 方法 | ||
1.一种制造用于半导体光刻的光学元件的主体(33)的方法，包括以下方法步骤：
-制造具有光学侧(40)的坯件(32)，
-将至少一个流体通道(36.x)引入坯件(32)，随后，
-通过将坯件(32)成形到模具(42)上来制造主体(33)。
2.如权利要求1所述的方法，
其特征在于，
所述坯件的成形包括加热坯件。
3.如权利要求1或2所述的方法，
其特征在于，
所述至少一个流体通道(36.x)在距所述坯件(32)的光学侧(40)恒定距离处被引入。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述至少一个流体通道(36.x)被引入成使得在所述主体已经成形到所述模具(42)上之后，所述至少一个流体通道位于距所述主体(33)的光学表面(40)恒定距离处。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述至少一个流体通道(36.x)的横截面由于所述成形而改变。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述至少一个流体通道(36.x)在成形后具有圆形横截面。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
围绕所述至少一个流体通道(36.x)的材料在成形期间被冷却。
8.如权利要求7所述的方法，
其特征在于，
围绕所述至少一个流体通道(36.x)的材料的温度被设定成使得材料的弯曲是可能的。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
通过精加工在所述主体(33)的光学侧(40)上形成光学有效区域(41)。
10.如权利要求9所述的方法，
其特征在于，
在所述精加工期间，所述光学元件的光学有效区域(41)形成为球形或非球形。
11.如权利要求10所述的方法，
其特征在于，
所述至少一个流体通道(36.x)在精加工之后在离非球形光学有效区域(41)的恒定距离处延伸。
12.如前述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述坯件(32)的光学侧(40)具有凹陷(44)。
13.如权利要求12所述的方法，
其特征在于，
用于所述坯件(32)成形的参数设定成使得所述凹陷(44)在成形期间抵靠所述模具(42)。
14.一种具有至少一个流体通道(36.x)的光学元件的主体(33)，
其特征在于，
至少一个流体通道(36.x)形成为使得所述至少一个流体通道(36.x)距主体(33)的光学侧(40)的距离变化小于1mm，优选小于0.1mm，特别优选小于0.02mm。
15.如权利要求14所述的主体(33)，
其特征在于，
两个流体通道(36.3、36.4)布置在距所述主体(33)的光学侧(40)的两个不同距离(A、B)处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司，未经卡尔蔡司SMT有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180077451.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于抗HER2抗体-药物缀合物疗法的评分方法
- 下一篇：机织/针织物
