[发明专利]一种新的采用添加剂制备CsPbI2

权利要求书

1.一种采用添加剂低温制备高效稳定CsPbI₂Br钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于一步法制备CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的过程中，通过使用添加剂，改善了钙钛矿薄膜的生长过程，从而在低温条件下制备高效稳定CsPbI₂Br钙钛矿太阳能电池。

2.一种如权利要求1所述制备高效稳定CsPbI₂Br钙钛矿薄膜的步骤包括如下：

（1）在CsPbI₂Br前驱体溶液中加入添加剂；

（2）在常温下，将CsPbI₂Br前驱体溶液旋涂在基底上；

（3）旋涂过程中使用反溶剂；

（4）退火制备CsPbI₂Br钙钛矿薄膜；

（5）表面刮涂碳电极，制备CsPbI₂Br钙钛矿太阳能电池。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，添加剂改善了钙钛矿薄膜晶体生长过程，在低温退火过程中，钙钛矿结晶过程容易存在反应不完全的现象，在结晶过程中Cs⁺与Br^-容易结合为难溶的残留的CsBr析出，CsBr的析出对器件的性能有很大的影响，DC具有能与碱金属离子反应的物理特性，可以有效的络合Cs离子，防止Cs⁺与Br^-结合为CsBr，在结晶过程中形成了DC-Cs的络合物，延缓了结晶过程，改善结晶过程，在130℃低温条件下也能制备出高质量的薄膜。

4.根据权利要求1所述制备方法，使用的添加剂为DC。

5.如权利要求1所述的一种制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于，所述CsPbI₂Br前驱体溶液中，溶剂为DMSO和DMF，所用试剂为PbI₂，PbBr₂和CsI。

6.如权利要求2所述的制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于，所述的DC与PbI₂的摩尔比例为：0.0005:1~0.0001:1。

7.权利要求1所述制备方法适用于FAPbI₃、CsPbI₃以及复合阳离子、复合卤素等所有钙钛矿薄膜。

8.根据权利要求2所述方法制备出来的钙钛矿太阳能电池，光电转换效率高、稳定性好。