[发明专利]一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置

权利要求书

1.一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于：包括工作台（1）；所述工作台（1）顶部固定连接有真空腔（2），真空腔（2）内部设置有温度混合结构，真空腔（2）曲侧面底部设置有底凸仓（201），真空腔（2）曲侧面顶部设置有顶凸仓（202）；所述温度混合结构包括固定座（2011），其固定连接于底凸仓（201）外曲侧面处，固定座（2011）外侧固定连接有伺服电机（2012），伺服电机（2012）转轴顶部通过同轴连接设置有顶齿轮（2013），顶齿轮（2013）底部通过同轴连接设置有承接片（2014），承接片（2014）顶部通过滑动连接设置有齿环（2015），齿环（2015）内侧齿部与顶齿轮（2013）啮合传动；

所述顶凸仓（202）内侧设置有酸剂环喷结构，顶凸仓（202）外侧顶部固定连接有出料结构，出料结构包括往复丝杠（3）；

所述真空腔（2）顶部连接设置有密封顶板（4），真空腔（2）内侧底部设置有晶圆支撑结构；

所述工作台（1）后侧设置有总控制箱（6），总控制箱（6）左侧固定连接有加压泵，总控制箱（6）右侧固定连接有真空泵（601）；

所述温度混合结构还包括磁块A（2016）、内凹槽（2017），磁块A（2016）固定连接于齿环（2015）顶部，内凹槽（2017）数量设置为二组，其固定连接于底凸仓（201）内侧顶部与底部；

所述温度混合结构还包括混合转轮（203），混合转轮（203）通过滑动连接设置于内凹槽（2017）内侧，混合转轮（203）顶部与底部通过铰连接设置有滚轮（204），混合转轮（203）内曲侧面固定连接有斜翅（2031），混合转轮（203）外曲侧面固定连接有磁块B（2032）；

所述酸剂环喷结构包括环形管（2021）、超声波雾化喷头（2022）和控压阀（2023），环形管（2021）固定连接于顶凸仓（202）内侧，环形管（2021）后端与加压泵相连接，环形管（2021）内曲侧面固定连接有超声波雾化喷头（2022），超声波雾化喷头（2022）内部通过法兰连接设置有控压阀（2023）；

所述晶圆支撑结构包括电磁铁（205），电磁铁（205）固定连接于真空腔（2）内侧底部，真空腔（2）内侧底部还固定连接有环座A（206）；

所述环座A（206）内侧固定连接有外架（2061），外架（2061）内侧通过铰连接设置有弯折架（2062），弯折架（2062）顶端固定连接有弧形夹（2063），弯折架（2062）底部突出部通过铰连接设置有铰接件（2064），铰接件（2064）底部固定连接有连接座（2065），连接座（2065）底部固定连接有铁片（2066）；

所述出料结构还包括有步进电机（301），步进电机（301）固定连接于往复丝杠（3）滚珠螺母座前端；电动推杆A（302），其通过同轴连接设置于步进电机（301）转轴曲侧面；气泵（303），气泵（303）固定连接于往复丝杠（3）后端立面处；吸头（3031），吸头（3031）固定连接于电动推杆A（302）伸缩部前端；

所述密封顶板（4）顶部设置有电动推杆B（5），电动推杆B（5）伸缩部曲侧面与密封顶板（4）内侧铰连接，电动推杆B（5）顶部通过同轴连接设置有调角电机（501），调角电机（501）后端固定连接于支撑架（502）前端处，支撑架（502）前端与电动推杆B（5）外曲侧面铰连接，支撑架（502）后端与总控制箱（6）固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述电动推杆B（5）伸缩部底端固定连接有环座B（503），环座B（503）内侧固定连接有支撑条（5031），支撑条（5031）顶面固定连接有圆槽（5033），支撑条（5031）前端固定连接有下折板（5032）。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体器件加工的绝缘层刻蚀装置，其特征在于，所述总控制箱（6）内部另一加压泵通过管道与真空腔（2）内部相连接，另一加压泵管道内部固定连接有电磁阀（207）。