[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

第一基板；

设置在所述第一基板上的第一金属层；

设置在所述第一基板及所述第一金属层上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上且与所述第一金属层的位置对应的半导体层；

设置在所述半导体层上的金属氟化物层；

其中，所述金属氟化物层在对应所述第一金属层的区域具有第一沟道，所述第一沟道将所述金属氟化物层分割为第一金属氟化物层和第二金属氟化物层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二金属层，设置在所述金属氟化物层背离所述半导体层的一侧。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属层包括源电极和漏电极，在所述源电极与所述漏电极之间形成第二沟道；

所述第二沟道与所述第一沟道相通。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括绝缘保护层，设置在所述栅绝缘层、所述半导体层、所述金属氟化物层及所述第二金属层上的绝缘保护层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘保护层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种；和/或

所述金属氟化物层的厚度为20～200nm；和/或

所述金属氟化物层的材料包括氟化锂、氟化镁、氟化锌中的至少一种。

7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一基板上依次形成第一金属层及栅绝缘层；

在所述栅绝缘层相对所述第一金属层的位置形成半导体层；

在所述半导体层上形成金属氟化物层，所述金属氟化物层中形成有一第一沟道，将所述金属氟化物层分割为第一金属氟化物层和第二金属氟化物层，并使对应所述第一沟道的所述半导体层暴露。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述金属氟化物层形成之后，还包括：在所述金属氟化物层上形成第二金属层；其中，所述第二金属层被一第二沟道分割形成源电极和漏电极。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述源电极和所述漏电极分别形成在所述第一金属氟化物层和所述第二金属氟化物层上。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第二金属层形成之后，还包括：在暴露的所述栅绝缘层以及所述半导体层、所述源电极、所述漏电极、所述金属氟化物层的表面形成绝缘保护层。

11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种；和/或

所述绝缘保护层的材料包括氮化硅、氧化硅中的至少一种；和/或

所述金属氟化物层的厚度为20～200nm；和/或

所述金属氟化物层的材料包括氟化锂、氟化镁、氟化锌中的至少一种。

12.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管或如权利要求7～11中任一项所述的制作方法制得的薄膜晶体管。