[发明专利]半导体装置

说明书

在实施方式的半导体装置中，第一以及第二开关电路串联连接在第一端子与第二端子之间。第三开关电路位于第一端子以及第一开关电路之间的第一节点与第一电阻元件之间。第四开关电路位于第一开关电路以及第二开关电路之间的第二节点与基准电源之间。控制电路将第一～第四开关电路切换为导通状态或非导通状态。第一、第三、第五、第七延迟电路位于第一～第四开关电路与控制电路之间，分别使将第一～第四开关电路从导通状态向非导通状态切换的第一、第二、第三、第四控制信号延迟。第二、第四、第六、第八延迟电路位于第一～第四开关电路与控制电路之间，分别使将第一～第四开关电路从非导通状态向导通状态切换的第一、第二、第三、第四控制信号延迟。

本申请以日本专利申请2021-150593号(申请日：2021年9月15日)为基础申请来享受优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

高频半导体开关电路在智能手机等无线通信终端中，被用于按无线信号的每个频带切换信号路线。通常，高频半导体开关的开关电路由FET(Field Effect Transistor)构成，通过FET的导通/非导通(ON/OFF)来切换信号路线。

然而，高频半导体开关电路在切换FET的ON/OFF时，存在着根据FET的动作定时而在开关切换中如开路或者短路那样VSWR(电压驻波比)变高、使电力效率恶化这一问题。

发明内容

实施方式提供对于无线信号VSWR低且电力效率良好的半导体装置。

本实施方式涉及的半导体装置具备输入高频信号的第一端子、和输出高频信号的第二端子。第一以及第二开关电路串联连接在第一端子与第二端子之间。第三开关电路设置在第一端子以及第一开关电路之间的第一节点与第一电阻元件之间，经由该第一电阻元件与基准电源连接。第四开关电路连接在第一开关电路以及第二开关电路之间的第二节点与基准电源之间。控制电路将第一～第四开关电路切换为导通状态或者非导通状态。第一延迟电路设置在第一开关电路与控制电路之间。第一延迟电路在从控制电路向第一开关电路发送的第一控制信号将第一开关电路从导通状态向非导通状态切换时使该第一控制信号延迟。第二延迟电路设置在第一开关电路与控制电路之间。第二延迟电路在从控制电路向第一开关电路发送的第一控制信号将第一开关电路从非导通状态向导通状态切换时使该第一控制信号延迟。第三延迟电路设置在第二开关电路与控制电路之间。第三延迟电路在从控制电路向第二开关电路发送来的第二控制信号将第二开关电路从导通状态向非导通状态切换时使该第二控制信号延迟。第四延迟电路设置在第二开关电路与控制电路之间。第四延迟电路在从控制电路向第二开关电路发送的第二控制信号将第二开关电路从非导通状态向导通状态切换时使该第二控制信号延迟。第五延迟电路设置在第三开关电路与控制电路之间。第五延迟电路在从控制电路向第三开关电路发送来的第三控制信号将第三开关电路从导通状态向非导通状态切换时使该第三控制信号延迟。第六延迟电路设置在第三开关电路与控制电路之间。第六延迟电路在从控制电路向第三开关电路发送来的第三控制信号将第三开关电路从非导通状态向导通状态切换时使该第三控制信号延迟。第七延迟电路设置在第四开关电路与控制电路之间。第七延迟电路在从控制电路向第四开关电路发送来的第四控制信号将第四开关电路从导通状态向非导通状态切换时使该第四控制信号延迟。第八延迟电路设置在第四开关电路与控制电路之间。第八延迟电路在从控制电路向第四开关电路发送来的第四控制信号将第四开关电路从非导通状态向导通状态切换时使该第四控制信号延迟。

附图说明

图1是表示第一实施方式涉及的半导体开关电路的构成例的框图。

图2是表示第一实施方式涉及的半导体开关电路的动作的一个例子的图。

图3A～图3D是表示使半导体开关电路从导通状态向非导通状态迁移时的样子的概念图。

图4是表示第一实施方式涉及的半导体开关电路的动作的一个例子的图。