[发明专利]一种用于基材上有机层光刻图案化的方法

权利要求书

1.一种制造包括有机层的电子器件的方法，其特征在于，所述包括有机层的电子器件包括：有机发光二极管（OLED）、有机场效应晶体管（OFET）、有机光伏器件；所述方法包括以下步骤：

步骤S1，在基板上涂布光刻胶并进行曝光图案化处理；所述在基板上涂布光刻胶并进行曝光图案化处理的步骤包括：使用0.5mm厚度的亚克力玻璃基板，用丙酮、酒精与去离子水各超声5min之后烘干的0.5mm厚度的亚克力玻璃基板上涂布AZ5214光刻胶并通过器件源漏光刻掩模版使用MA6光刻机进行曝光图案化处理，旋涂光刻胶的参数为1000rpm/min，500rpm/s的加速度，持续5s；4000rpm/min，1000rpm/s的加速度，持续40s；然后进行95℃前烘100s；使用MA6光刻机通过光刻掩模版hard模式曝光0.6s；之后在110℃后烘120s；然后再次使用MA6光刻机无掩模版Flood-E模式曝光5s；之后通过光刻显影液去除曝光一次的光刻胶部分显示出器件源漏图案；

步骤S2，在图案化处理过的基板上形成器件源极和漏极；所述在图案化处理过的基板上形成器件源极和漏极的步骤包括：在图案化处理过的基板上蒸镀5nm的Ni与40nm的Au，将蒸镀好的器件放入1-甲基2-吡咯烷酮溶液中50℃水浴加热10min完成剥离，之后将器件放入酒精中浸泡5min清洗掉期间表面残留的NMP溶液，然后用氮气吹干；

步骤S3，在器件源极和漏极的顶部形成有机半导体层；所述在器件源极和漏极的顶部形成有机半导体层的步骤包括：将沉积了器件源漏极的玻璃基板分别用去离子水与酒精超声3min，然后在紫外臭氧机中处理30min，使用5mg/ml的DPPT-TT的1，2-二氯苯即DCB溶液以500rpm/min，200rpm/s的加速度持续10s；1500rpm/min，500rpm/s的加速度持续60s旋涂到基板表面，然后在80℃下预热5min，之后在150℃下退火1h；

步骤S4，在有机半导体层顶部形成有机绝缘层；所述在有机半导体层顶部形成有机绝缘层的步骤包括：将80mg/ml的PMMA的乙酸丁酯即NBA溶液以500rpm/min，200rpm/s的加速度持续3s；1500rpm/min，500rpm/s的加速度持续60s旋涂到有机半导体层表面，之后在80℃下退火2h；

步骤S5，在有机绝缘层上形成SiO₂保护层；所述在有机绝缘层上形成SiO₂保护层的步骤包括：使用等离子体增强化学气相沉积即PECVD仪器在参数300℃，CH₄ 80sccm ，NO₂710sccm，900mtorr 20W生长SiO₂保护层持续2min9s，所述SiO₂保护层厚度为100nm；

步骤S6，在SiO₂保护层上涂布光刻胶并进行曝光图案化处理；所述在SiO₂保护层上涂布光刻胶并进行曝光图案化处理的步骤包括：在SiO₂保护层上旋涂AZ5214光刻胶，旋涂前烘后烘过程与步骤S1一致，使用MA6光刻机通过器件栅极的光刻掩模版进行曝光图案化处理，曝光操作与步骤S1一致，之后通过光刻显影液去除曝光一次的光刻胶部分显示出器件栅极图案；

步骤S7，形成器件顶部栅极结构，获得所述电子器件，所述形成器件顶部栅极结构获得电子器件的步骤包括：使用磁控溅射仪器将80nm的Al溅射到器件表面，之后在NMP溶液中75℃水浴加热30min完成器件剥离，之后将器件放入酒精中浸泡5min清洗掉期间表面残留的NMP溶液，然后用氮气吹干，获得顶栅底接触的电子器件。