[发明专利]移除薄膜中的杂质的方法以及衬底处理设备

权利要求书

1.一种移除薄膜中的杂质的方法，所述方法包括以下步骤：

在工艺腔室中提供上面形成有所述薄膜的衬底；

将与所述薄膜中所包含的所述杂质发生反应以及结合的第一气体供应到所述工艺腔室中；

在停止所述第一气体的供应之后，通过对所述工艺腔室的内部进行减压来排出所述杂质与所述第一气体的结合产物；

通过将不同于所述第一气体的第二气体供应到所述工艺腔室中来将所述薄膜固化；以及

停止所述第二气体的供应且将剩余的所述第二气体从所述工艺腔室的所述内部排出。

2.根据权利要求1所述的方法，其中供应所述第一气体的步骤是在所述工艺腔室之内在0.1托到20托的第一压力下实行，且

排出所述结合产物的步骤是通过对所述工艺腔室的所述内部进行减压而在低于所述第一压力的0.1毫托到20毫托的第二压力下实行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质包含碳且所述第一气体包含氢。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包含金属元素且所述第二气体包含氧。

5.根据权利要求1所述的方法，其中供应所述第一气体的步骤被实行达第一时间段，且

排出所述结合产物的步骤被实行达比所述第一时间段短的第二时间段。

6.根据权利要求1的所述方法，其中供应所述第一气体的步骤是在100℃到400℃的温度下实行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述薄膜固化的步骤包括使所述第二气体的元素与所述薄膜的表面发生反应以形成固化层。

8.根据权利要求7的所述方法，其中所述固化层具有或小于的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中供应所述第一气体的步骤、排出所述结合产物的步骤、将所述薄膜固化的步骤及排出剩余的所述第二气体的步骤被重复多次。

10.一种衬底处理设备，包括：

工艺腔室，上面形成有薄膜的衬底在所述工艺腔室中被装载及卸载；

第一气体供应单元，被配置成将第一气体供应到所述工艺腔室中，所述第一气体与所述薄膜中所包含的杂质发生反应以及结合；

第二气体供应单元，被配置成将第二气体供应到所述工艺腔室中，所述第二气体不同于所述第一气体；

加热器单元，设置在所述工艺腔室之外，以向所述工艺腔室的内部提供热能；

排气单元，被配置成对所述工艺腔室的所述内部进行排气；以及

控制单元，被配置成控制所述第一气体供应单元、所述第二气体供应单元及所述排气单元，

其中所述第一气体供应单元通过所述控制单元的控制而供应所述第一气体，以通过所述杂质与所述第一气体的反应生成结合产物，

所述排气单元通过所述控制单元的控制而排出所述结合产物，且

所述第二气体供应单元通过所述控制单元的控制而供应所述第二气体以将所述薄膜固化。

11.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中所述控制单元将所述工艺腔室的内部压力调节为0.1托到20托的第一压力以供应所述第一气体，且将所述工艺腔室的所述内部减压到低于所述第一压力的0.1毫托到20毫托的第二压力，以排出所述结合产物。

12.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中所述控制单元还控制所述加热器单元将所述工艺腔室之内的温度调节到100℃到400℃的温度。

13.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中所述控制单元进行控制，以多次重复地实行供应所述第一气体的步骤、排出所述结合产物的步骤及供应所述第二气体的步骤。

14.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中所述杂质包含碳且所述第一气体包含氢。

15.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中所述薄膜包含金属元素且所述第二气体包含氧。