[发明专利]集成电路器件及形成方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

功能电路，电耦合到第一电源节点，并且能够通过所述第一电源节点上的第一电源电压进行操作；以及

电源控制电路，包括第一类型的第一晶体管和不同于所述第一类型的第二类型的第二晶体管，

其中，

所述第一晶体管包括：

栅极端子，被配置为接收控制信号，

第一端子，电耦合到所述第一电源节点，和

第二端子，电耦合到第二电源节点，

所述第二晶体管包括：

栅极端子，被配置为接收所述控制信号，和

第一端子和第二端子，被配置为接收预定电压，并且

所述第一晶体管被配置为响应于所述控制信号连接或断开所述第一电源节点和所述第二电源节点以提供或切断所述功能电路的电源。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述预定电压为以下之一：

所述控制信号，

所述第一电源节点的第一电源电压，

所述第二电源节点的第二电源电压，

与所述第一电源电压不同的第三电源电压，所述功能电路能够通过所述第一电源电压和所述第三电源电压进行操作，或

除了所述控制信号和所述第一电源电压至所述第三电源电压之外的电压。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述电源控制电路为头部电路，

所述第一晶体管为P型晶体管，并且

所述第二晶体管为N型晶体管。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述电源控制电路为尾部电路，

所述第一晶体管为N型晶体管，并且

所述第二晶体管为P型晶体管。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

响应于所述第一晶体管处于截止状态，所述第一电源节点与所述第二电源节点断开并浮置。

6.一种集成电路器件，包括：

第一半导体类型的第一有源区域；

第二半导体类型的第二有源区域，所述第二半导体类型不同于所述第一半导体类型；

多个栅极区域，跨所述第一有源区域和所述第二有源区域并在所述第一有源区域和所述第二有源区域上方延伸；

多个接触结构，位于所述第一有源区域和所述第二有源区域的对应部分上方并与所述第一有源区域和所述第二有源区域的对应部分电接触；以及

导电层，位于所述多个栅极区域和所述多个接触结构上方，所述导电层包括：

第一导电图案，将所述第一有源区域上方的第一组接触结构电耦合在一起，

第二导电图案，将所述第一有源区域上方的第二组接触结构电耦合在一起，

第三导电图案，将所述多个栅极区域电耦合在一起，和

第四导电图案，将所述第二有源区域上方的接触结构电耦合在一起。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，

所述多个栅极区域和所述第一有源区域被配置为第一类型的第一晶体管，并且

所述多个栅极区域和所述第二有源区域被配置为不同于所述第一类型的第二类型的第二晶体管。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，

所述第一导电图案被配置为功能电路的第一电源轨，所述功能电路能够通过所述第一电源轨上的第一电源电压进行操作，

所述第二导电图案被配置为第二电源轨，并且

所述第一晶体管被配置为响应于所述第三导电图案上的控制信号连接或断开所述第一电源轨和所述第二电源轨。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，

所述导电层还包括：

第五导电图案，将所述第一组接触结构电耦合在一起。

10.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一半导体类型的第一有源区域和不同于所述第一半导体类型的第二半导体类型的第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域沿第一轴延伸；

在所述第一有源区域和所述第二有源区域上方形成栅极结构，所述栅极结构沿垂直于所述第一轴的第二轴从所述第一有源区域连续延伸到所述第二有源区域，其中，

所述栅极结构和所述第一有源区域被配置为第一类型的第一晶体管，并且

所述栅极结构和所述第二有源区域被配置为不同于所述第一类型的第二类型的第二晶体管；以及

在所述栅极结构以及所述第一有源区域和所述第二有源区域上方沉积导电层，并且将所述导电层图案化为沿所述第一轴延伸的多个导电图案，所述多个导电图案包括：

第一导电图案，电耦合到所述第一晶体管的第一端子；

第二导电图案，电耦合到所述第一晶体管的第二端子；

第三导电图案，电耦合到所述第一晶体管的第一端子；和

第四导电图案，电耦合到所述第二晶体管的第一端子和第二端子以将所述第二晶体管形成为伪晶体管。