[发明专利]集成电路器件及形成方法

说明书

一种集成电路(IC)器件包括：功能电路，电耦合到第一电源节点并可通过第一电源节点上的第一电源电压进行操作；以及电源控制电路，包括不同类型的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括被配置为接收控制信号的栅极端子、电耦合到第一电源节点的第一端子以及电耦合到第二电源节点的第二端子。第二晶体管包括被配置为接收控制信号的栅极端子以及被配置为接收预定电压的第一和第二端子。第一晶体管被配置为响应于控制信号连接或断开第一电源节点和第二电源节点以提供或切断功能电路的电源。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件及形成方法。

背景技术

集成电路(“IC”)器件或半导体器件包括在IC布局图(也称为“布局图”)中表示的一个或多个器件。布局图是分层的，包括根据IC设计规范执行更高级别功能的模块。模块通常由单元的组合构成，每个单元表示配置为执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时称为标准单元)存储在标准单元库(以下简称为“库”或“单元库”)中，并且可以通过各种工具(诸如电子设计自动化(EDA)工具)访问，以生成、优化和验证IC设计。

最小化半导体器件的功耗是设计考虑。一种方法涉及在电源节点(或轨)和功能电路之间包括头部电路(也称为“头部开关”)和/或尾部电路(也称为“尾部开关”)。当功能电路处于非活动状态时，通过断开头部开关和/或尾部开关来降低功耗。

发明内容

根据本发明的实施例的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：功能电路，电耦合到第一电源节点，并且能够通过第一电源节点上的第一电源电压进行操作；以及电源控制电路，包括第一类型的第一晶体管和不同于第一类型的第二类型的第二晶体管，其中第一晶体管包括：栅极端子，被配置为接收控制信号，第一端子，电耦合到第一电源节点，和第二端子，电耦合到第二电源节点，第二晶体管包括：栅极端子，被配置为接收控制信号，和第一端子和第二端子，被配置为接收预定电压，并且，第一晶体管被配置为响应于控制信号连接或断开第一电源节点和第二电源节点以提供或切断功能电路的电源。

根据本发明的实施例的另一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：第一半导体类型的第一有源区域；第二半导体类型的第二有源区域，第二半导体类型不同于第一半导体类型；多个栅极区域，跨第一有源区域和第二有源区域并在第一有源区域和第二有源区域上方延伸；多个接触结构，位于第一有源区域和第二有源区域的对应部分上方并与第一有源区域和第二有源区域的对应部分电接触；以及导电层，位于多个栅极区域和多个接触结构上方。导电层包括：第一导电图案，将第一有源区域上方的第一组接触结构电耦合在一起，第二导电图案，将第一有源区域上方的第二组接触结构电耦合在一起，第三导电图案，将多个栅极区域电耦合在一起，和第四导电图案，将第二有源区域上方的接触结构电耦合在一起。

根据本发明的实施例的又一个方面，提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底上方形成第一半导体类型的第一有源区域和不同于第一半导体类型的第二半导体类型的第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿第一轴延伸；在第一有源区域和第二有源区域上方形成栅极结构，栅极结构沿垂直于第一轴的第二轴从第一有源区域连续延伸到第二有源区域。其中栅极结构和第一有源区域被配置为第一类型的第一晶体管，并且栅极结构和第二有源区域被配置为不同于第一类型的第二类型的第二晶体管。在栅极结构以及第一有源区域和第二有源区域上方沉积导电层，并且将导电层图案化为沿第一轴延伸的多个导电图案。多个导电图案包括：第一导电图案，电耦合到第一晶体管的第一端子；第二导电图案，电耦合到第一晶体管的第二端子；第三导电图案，电耦合到第一晶体管的第一端子；和第四导电图案，电耦合到第二晶体管的第一端子和第二端子以将第二晶体管形成为伪晶体管。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的IC器件的框图。