[发明专利]存储器及存储系统在审
申请号: | 202210073679.1 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114530174A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | G11C11/401 | 分类号: | G11C11/401;G11C11/4063;G11C16/04;G11C16/06;G06F3/06 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐雯;蒋雅洁 |
地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 存储系统 | ||
1.一种存储器,其特征在于,包括:
外围电路;
存储区,位于所述外围电路的一侧;所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构;其中,所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列;
主导电线,从所述外围电路延伸至所述第一连接结构;所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构;
至少两条从导电线,分别连接所述第一连接结构,并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸,连接对应的多个所述存储阵列。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述第一连接结构两侧的所述存储阵列的数量相等。
3.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述主导电线位于第一结构层;
所述从导电线位于不同于所述第一结构层的第二结构层;
所述第一连接结构连通所述第一结构层和所述第二结构层。
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述第一连接结构为连接所述第一结构层和所述第二结构层的过孔。
5.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述多个存储阵列位于第三结构层,所述第三结构层不同于所述第一结构层且不同于所述第二结构层;所述存储器还包括:
至少一个连通所述第三结构层和所述第二结构层的第二连接结构;所述第二连接结构连接所述从导电线和对应的所述存储阵列。
6.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储阵列包括多个沿第一方向依次排布的行单元;所述多个存储阵列沿第二方向依次排布;所述第一方向垂直于所述从导电线的延伸方向;所述第二方向平行于所述从导电线的延伸方向;其中,
所述第一连接结构的两侧分别连接有多条相互平行的所述从导电线;
所述多条从导电线在所述第一方向依次排布,分别连接多个所述存储阵列中位于同一直线上的多个所述行单元。
7.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述行单元包括多个沿所述第二方向依次排布的存储区块,所述存储器还包括:
多条第一级导电支线,连接所述从导电线,并分别连接所述多个存储区块。
8.根据权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述存储器还包括:
多条第二级导电支线,连接所述第一级导电支线,并沿所述第二方向延伸至所述存储区块的区域范围内。
9.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器还包括:
电源连接垫,位于所述外围电路中,用于与供应电源连接;其中,所述电源连接垫连接所述主导电线。
10.根据权利要求1-9任一所述的存储器,其特征在于,所述主导电线的宽度大于所述从导电线的宽度。
11.一种存储系统,其特征在于,包括:
如权利要求1-10任一所述的存储器;
控制器,与所述存储器耦接,用于控制所述存储器。
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