[发明专利]存储器及存储系统

说明书

本申请实施例提供一种存储器及存储系统，所述存储器包括：外围电路；存储区，位于所述外围电路的一侧；所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构；其中，所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列；主导电线，从所述外围电路延伸至所述第一连接结构；所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构；至少两条从导电线，分别连接所述第一连接结构，并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸，连接对应的多个所述存储阵列。

技术领域

本申请涉及但不限于半导体技术领域，尤其涉及一种存储器及存储系统。

背景技术

存储器通常包括设置有多个存储阵列的存储区和外围电路。其中，存储器中的存储阵列主要用于储存数据，而外围电路主要用于对存储区中的存储阵列的访问操作进行控制，例如，编程、读取或擦除等操作，以及为存储区内的存储阵列提供电信号。

随着半导体技术的发展，对存储器的容量的需求也随之增加。当存储器的存储容量增大时，其存储区内设置的存储阵列也相应地增多，从而对存储器的性能提出了更高的要求。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种存储器及存储系统。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储器，包括：

外围电路；

存储区，位于所述外围电路的一侧；所述存储区包括多个存储阵列以及位于两个相邻的所述存储阵列之间的第一连接结构；其中，所述第一连接结构的两侧分别包括多个所述存储阵列；

主导电线，从所述外围电路延伸至所述第一连接结构；所述主导电线的两端分别连接所述外围电路与所述第一连接结构；

至少两条从导电线，分别连接所述第一连接结构，并在所述第一连接结构两侧的相互背离的方向延伸，连接对应的多个所述存储阵列。

在一些实施例中，所述第一连接结构两侧的所述存储阵列的数量相等。

在一些实施例中，所述主导电线位于第一结构层；

所述从导电线位于不同于所述第一结构层的第二结构层；

所述第一连接结构连通所述第一结构层和所述第二结构层。

在一些实施例中，所述第一连接结构为连接所述第一结构层和所述第二结构层的过孔(Via)。

在一些实施例中，所述多个存储阵列位于第三结构层，所述第三结构层不同于所述第一结构层且不同于所述第二结构层；所述存储器还包括：

至少一个连通所述第三结构层和所述第二结构层的第二连接结构；所述第二连接结构连接所述从导电线和对应的所述存储阵列。

在一些实施例中，所述存储阵列包括多个沿第一方向依次排布的行单元；所述多个存储阵列沿第二方向依次排布；所述第一方向垂直于所述从导电线的延伸方向；所述第二方向平行于所述从导电线的延伸方向；其中，

所述第一连接结构的两侧分别连接有多条相互平行的所述从导电线；

所述多条从导电线在所述第一方向依次排布，分别连接多个所述存储阵列中位于同一直线上的多个所述行单元。

在一些实施例中，所述行单元包括多个沿所述第二方向依次排布的存储区块，所述存储器还包括：

多条第一级导电支线，连接所述从导电线，并分别连接所述多个存储区块。

在一些实施例中，所述存储器还包括：

多条第二级导电支线，连接所述第一级导电支线，并沿所述第二方向延伸至所述存储区块的区域范围内。

在一些实施例中，所述存储器还包括：