[发明专利]电子元件的封装结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210082626.6 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN116525551A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王程麒;李建锋;樊光明 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/00;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元件 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供载板，其中所述载板包括复合结构且具有彼此相对的第一表面以及第二表面；
在所述载板的所述第一表面上形成抗翘曲结构；以及
在所述载板的所述第二表面上形成重布线结构。
2.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于,所述载板包含第一基板、第二基板以及黏着层，其中所述第一基板与所述第二基板通过所述黏着层彼此接合。
3.根据权利要求2所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构具有的热膨胀系数大于所述第一基板具有的热膨胀系数。
4.根据权利要求3所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构具有的热膨胀系数大于或等于30ppm/K且小于或等于180ppm/K，且所述第一基板具有的热膨胀系数大于或等于3ppm/K且小于或等于12ppm/K。
5.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构包括具有环氧基团的有机化合物。
6.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述载板的所述第二表面上形成所述重布线结构包括进行以下步骤：
在所述载板的所述第二表面上形成金属层；以及
在所述载板的所述第二表面上形成绝缘层，其中所述绝缘层包括暴露出部分的所述金属层的开口。
7.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述载板的所述第二表面上形成所述重布线结构之前，还包括进行以下步骤：
在所述载板的所述第二表面上形成半导体芯片，其中所述半导体芯片远离所述载板的表面上设置有连接垫；以及
在所述载板的所述第二表面上形成囊封层，其中所述囊封层暴露出所述连接垫，且所述半导体芯片通过所述连接垫与所述重布线结构电性连接。
8.一种电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供载板；
在所述载板上形成囊封结构，所述囊封结构包括半导体芯片以及囊封层且具有彼此相对的第三表面以及第四表面，其中所述半导体芯片靠近所述载板的表面上设置有连接垫，且所述囊封层暴露出所述半导体芯片，其中所述囊封结构的所述第三表面面对所述载板；
在所述囊封结构的所述第四表面上形成抗翘曲结构；
移除所述载板；以及
在所述囊封结构的所述第三表面上形成重布线结构。
9.根据权利要求8所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构具有的热膨胀系数大于或等于30ppm/K且小于或等于180ppm/K，且所述载板具有的热膨胀系数大于或等于3ppm/K且小于或等于12ppm/K。
10.根据权利要求8所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构包括具有环氧基团的有机化合物。
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