[发明专利]一种电子元器件表面腐蚀层厚度的检测方法

权利要求书

1.一种电子元器件表面腐蚀层厚度的检测方法，其特征在于，采用飞行时间二次离子质谱仪对待测电子元器件样品表面进行腐蚀元素定位，采集样品表面成分信息，确认腐蚀元素，随后进行纵向深度剖析，当腐蚀元素原子数不再随剥离深度变化或检测不出腐蚀性元素时，以此时的剥离深度作为腐蚀层厚度；

优选地，所述待测电子元器件样品包括芯片、贴片电阻、陶瓷电容或金属组件。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述待测电子元器件样品的表面高度差不超过0.5μm。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，进行纵向深度剖析之前，对置于所述飞行时间二次离子质谱仪的副舱室中的所述待测电子元器件第一次抽真空，随后送入主舱室第二次抽真空直至达到预设范围；

优选地，所述副舱室抽真空后的真空度≥10^-6mbar；更优为10^-6mbar-1×10^-7mbar；

优选地，所述主舱室抽真空后的真空度≥5.8×10^-8mbar，更优为5.8×10^-8mbar-1×10^-10mbar。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，当所述主舱室内的真空度达预设范围后，开启离子源电源、分析仪电源和二次电子枪电源，载入离子源并对离子源进行校准；

当束流大小调节至预设范围后，加载电荷中和枪和离子枪，对离子枪进行校准，将仪器设置调换至负谱状态，设置电流循环时间后，对所述待测电子元器件样品进行对焦，选取测定区域采集样品表面成分信息。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述离子源为Bi⁺源、Bi₃⁺源、Ga⁺源、Au⁺源或C₆₀⁺源。

6.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，束流为0.8pA-1.1pA。

7.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述离子枪的电压根据所述待测电子元器件样品需要剥离的厚度进行设置：当所述待测电子元器件样品所需剥离的厚度＞0且≤500nm时，所述离子枪的电压为500V；当所述待测电子元器件样品所需剥离的厚度＞500nm且≤1μm时，所述离子枪的电压为1000V；当所述待测电子元器件样品所需剥离的厚度＞1μm 0且≤2μm时，所述离子枪的电压为2000V；

优选地，当所述待测电子元器件样品所需剥离的厚度＞0且≤100nm时，所述离子枪的电压为250V。

8.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，电流循环时间为80-120μs，优选为100μs。

9.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述待测电子元器件样品的测试区域面积为30μm×30μm至500μm×500μm，分析区域面积为10μm×10μm至300μm×300μm。

10.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：纵向剖析参数包括：每分析1帧，暂停时间为溅射时间的1/4-1/2；

优选地，溅射时间为2.0秒，暂停时间为0.5-1秒。