[发明专利]硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件

权利要求书

1.一种硅基纳米涂层的制备方法，该制备方法包括用乙烯基三乙氧基硅烷作为反应气体之一，通过等离子体增强化学气相沉积法在基材表面沉积纳米薄膜，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积法包括以下步骤：

S1：将真空仓室抽真空至真空度为25-70mTorr，向所述真空仓室通入流量为80-200sccm的活性气体，启动中频射频电源，并设定所述中频射频电源功率为80-200W，清洁、活化所述基材；

S2：调整所述真空仓室真空度为10-30mTorr，向所述真空仓室通入流量为10-60sccm的所述乙烯基三乙氧基硅烷气体和流量为80-200sccm的活性气体，调整所述中频射频电源功率为80-200W，所述基材镀膜制备所述硅基纳米涂层。

2.如权利要求1所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，步骤S1包括：

将所述真空仓室抽真空至真空度为40mTorr，向所述真空仓室通入流量为120sccm的所述活性气体，启动所述中频射频电源，并设定所述中频射频电源功率为200W，清洁、活化所述基材。

3.如权利要求1所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，步骤S2包括：

调整所述真空仓室真空度为20mTorr，向所述真空仓室通入流量为15sccm的所述乙烯基三乙氧基硅烷气体和流量为120sccm的所述活性气体，调整所述中频射频电源功率为150W，所述基材镀膜制备所述硅基纳米涂层。

4.如权利要求1所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，步骤S1中清洁、活化所述基材30-50min，步骤S2中所述基材镀膜20-40min，所述硅基纳米涂层厚度为70-1000nm。

5.如权利要求1所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述活性气体为乙烯气或氢气。

6.如权利要求1所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述真空仓室的温度为30-80℃。

7.如权利要求7所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，所述真空仓室的温度为55℃。

8.如权利要求1-8任意一项所述的硅基纳米涂层的制备方法，其特征在于，包括在步骤S1之前的步骤S0，所述步骤S0包括：

将所述基材放置于等离子体增强化学气相沉积镀膜设备的所述真空仓室中，位于平板电极板之间。

9.一种硅基纳米涂层，其特征在于，通过如权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备而成。

10.一种印制电路板组件，其特征在于，包括印制电路板组件本体和在所述印制电路板组件本体上制备的如权利要求10中所述的硅基纳米涂层。