[发明专利]一种SESAM被动调Q微型激光器

权利要求书

1.一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：包括泵浦耦合器、偏振耦合镜、微型振荡器、泵浦光输入光路和激光器输出光路，

所述微型振荡器包括1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜；

经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808-880nm激光，沿45°入射至分光耦合输出镜，反射进入微型振荡器内，808-880nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜，被半导体可饱和吸收镜反射沿激光介质内和1064nm耦合输出镜进入偏振耦合镜，沿激光器输出光路输出，1064nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜内，被半导体可饱和吸收镜饱和吸收。

2.根据权利要求1所述的一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：所述半导体可饱和吸收镜设置为带铜热沉的半导体可饱和吸收镜，调制深度5％-25％，饱和通量大于300uJ/cm2。

3.根据权利要求2所述的一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：所述激光介质两端同时镀有1064和808-880增透膜，参杂浓度0.3％-0.5％，采用线偏振结构。

4.根据权利要求3所述的一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：所述1064nm耦合输出镜两端同时镀有808-880增透膜，且对1064nm透过率10％-30％。

5.根据权利要求4所述的一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：所述偏振耦合镜的表面镀膜有1064增透膜，808-880高反膜。

6.根据权利要求5所述的一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：所述泵浦耦合器表面镀有808-880增透膜，耦合孔径50-200um。