[发明专利]一种SESAM被动调Q微型激光器

说明书

本发明公开了一种SESAM被动调Q微型激光器，包括泵浦耦合器、偏振耦合镜、微型振荡器、泵浦光输入光路和激光器输出光路，微型振荡器包括1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜；经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808‑880nm激光，沿45°入射至分光耦合输出镜，反射进入微型振荡器内；本发明通过微型振荡器的被动调Q，可获得100ps‑2ns的激光脉冲，突破了传统调Q纳秒激光器的脉宽范围，为固体放大器提供介于锁模皮秒和调Q纳秒之间的短脉冲种子源。

技术领域

本发明属于端面泵浦固体激光器的技术领域，具体讲是一种利用半导体可饱和吸收镜被动调Q的微型激光器。

背景技术

端面泵浦的固体激光器具有光束质量好、稳定性高、可灵活配置腔内倍频等优点，广泛适用于工业加工各领域，随着材料不断更新迭代，对加工所需的激光脉宽、峰值功率提出了更高的要求。

发明内容

因此，为了解决上述不足，本发明在此提供一种SESAM被动调Q微型激光器；该SESAM被动调Q微型激光器通过微型振荡器的被动调Q，可获得100ps-2ns的激光脉冲，突破了传统调Q纳秒激光器的脉宽范围，为固体放大器提供介于锁模皮秒和调Q纳秒之间的短脉冲种子源。

为了达到上述目的，本发明公开了一种SESAM被动调Q微型激光器，包括泵浦耦合器、偏振耦合镜、微型振荡器、泵浦光输入光路和激光器输出光路，

所述微型振荡器包括1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜；

经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808-880nm激光，沿45°入射至分光耦合输出镜，反射进入微型振荡器内，808-880nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜，被半导体可饱和吸收镜反射沿激光介质内和1064nm耦合输出镜进入偏振耦合镜，沿激光器输出光路输出，1064nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜内，被半导体可饱和吸收镜饱和吸收。

进一步，所述半导体可饱和吸收镜设置为带铜热沉的半导体可饱和吸收镜，调制深度5％-25％，饱和通量大于300uJ/cm2。

进一步，所述激光介质两端同时镀有1064和808-880增透膜，参杂浓度0.3％-0.5％，采用线偏振结构。

进一步，所述1064nm耦合输出镜两端同时镀有808-880增透膜，且对1064nm透过率10％-30％。

进一步，所述偏振耦合镜的表面镀膜有1064增透膜，808-880高反膜；

进一步，所述泵浦耦合器表面镀有808-880增透膜，耦合孔径50-200um。

本发明具有如下优点：

本发明SESAM被动调Q微型激光器通过微型振荡器的被动调Q，可获得100ps-2ns的激光脉冲，突破了传统调Q纳秒激光器的脉宽范围，为固体放大器提供介于锁模皮秒和调Q纳秒之间的短脉冲种子源。

附图说明

图1为本发明一种SESAM被动调Q微型激光器的结构示意图；

图2为本发明一种SESAM被动调Q微型激光器获得2ns以下脉冲激光的波形图。

附图说明：1-半导体可饱和吸收镜；2-激光介质；3-1064nm耦合输出镜；4-偏振耦合镜；5-泵浦耦合器；6-激光器输出光路；7-泵浦光输入光路。

具体实施方式

下面将结合附图1对本发明进行详细说明，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。