[发明专利]一种低功率组合式非对称半桥反激变换器及其控制方法

权利要求书

1.一种低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，包括：主电路，

所述主电路包括x个依次串联的不对称半桥反激模块，x为大于1的整数；

所述不对称半桥反激模块包括一个半桥，一个谐振回路，一个多绕组变压器和N2个副边整流模块，N2为大于1的整数；

所述x个依次串联的不对称半桥反激模块输入串联输出并联，包含一个高压输入端口，所述N2个副边整流模块输出并联组成N2路输出端口。

2.根据权利要求1所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述半桥包括串联的主开关管和非主开关管；

所述非主开关管的第一电极和第二电极之间依次串联有漏感、励磁电感和谐振电容，所述第一电极连接所述漏感的第一端，所述漏感的第二端连接所述励磁电感的第一端，所述励磁电感的第二端连接所述谐振电容的第一端，所述谐振电容的第二端连接所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述半桥并联有一个电容。

4.根据权利要求3所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述多绕组变压器包括所述漏感和励磁电感；

所述励磁电感与所述多绕组变压器的原边绕组并联。

5.根据权利要求4所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

每一个所述副边整流模块均包括一个所述多绕组变压器的副边绕组；

所述副边绕组的第一端连接开关器件的第一电极，所述开关器件的第二电极连接输出电容的第一端，所述输出电容的第二端连接所述副边绕组的第二端。

6.根据权利要求2-5任一所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述x个依次串联的不对称半桥反激模块中，前一个所述不对称半桥反激模块中的所述非主开关管的第二电极连接后一个所述不对称半桥反激模块中的所述主开关管的第一电极；

所述x个依次串联的不对称半桥反激模块中，第一个所述不对称半桥反激模块中的所述主开关管的第一电极和最后一个所述不对称半桥反激模块中的所述另一开关管的第二电极为所述高压输入端口。

7.根据权利要求6所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述x个依次串联的不对称半桥反激模块中，每个所述不对称半桥反激模块均具有N2个副边整流模块；

各所述不对称半桥反激模块中的第i个副边整流模块并联，1≤i≤N2，共构成N2路输出端口，所述不对称半桥反激模块中每一个所述副边整流模块中的所述输出电容的两端对应连接一路输出端口。

8.根据权利要求7所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述不对称半桥反激模块的个数根据输入电压等级确定。

9.根据权利要求2-5,7-8任一所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述主开关管和非主开关管均反并联一个二极管。

10.根据权利要求9所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述主开关管和非主开关管为存在漏源极的寄生电容的开关管。

11.根据权利要求10所述的低功率组合式非对称半桥反激变换器，其特征在于，

所述主开关管和非主开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管，

所述主开关管和非主开关管为金属氧化物半导体场效应晶体管时，所述主开关管和非主开关管的第一电极为源极，第一电极为漏极；

所述主开关管和非主开关管为绝缘栅双极晶体管时，所述主开关管和非主开关管的第一电极为集电极，第一电极为发射极。