[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储系统

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底的一侧上形成电介质堆叠结构，所述电介质堆叠结构包括核心区；

在所述核心区形成贯穿所述电介质堆叠结构的沟道结构；

形成辅助虚拟结构，所述辅助虚拟结构的至少部分位于所述核心区的边缘；以及

形成贯穿所述电介质堆叠结构的共源极结构，所述辅助虚拟结构电隔离所述沟道结构和所述共源极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述辅助虚拟结构包括：

形成至少有一部分位于所述核心区的边缘、且彼此之间具有间隔的至少两个所述辅助虚拟结构；

其中，形成贯穿所述电介质堆叠结构的共源极结构包括：

形成贯穿所述电介质堆叠结构并延伸穿过所述间隔的所述共源极结构，其中，所述延伸的方向垂直于所述贯穿的方向。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成贯穿所述电介质堆叠结构并延伸穿过所述间隔的所述共源极结构包括：

形成贯穿所述电介质堆叠结构并延伸穿过所述间隔的栅缝隙，所述栅缝隙的部分侧壁由所述辅助虚拟结构形成；以及

在所述栅缝隙内形成所述共源极结构。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述辅助虚拟结构包括：

在所述电介质堆叠结构远离所述衬底的一侧形成具有辅助虚设孔图案的掩模板；

经由所述辅助虚设孔图案刻蚀所述电介质堆叠结构以形成辅助虚设孔；以及

以第一材料填充所述辅助虚设孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一材料包括绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述电介质堆叠结构包括交替叠置的绝缘层和栅极牺牲层，其中，

所述第一材料在相同刻蚀条件下的刻蚀速率低于所述绝缘层以及所述栅极牺牲层的刻蚀速率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一材料包括氧化铝、氧化铪以及原子层沉积氧化硅中的至少之一。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述辅助虚设孔贯穿所述电介质堆叠结构并延伸至所述衬底。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述辅助虚设孔贯穿部分所述电介质堆叠结构。

10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述电介质堆叠结构还包括位于所述核心区外围的台阶区，所述掩模板还具有虚拟沟道图案；

其中，所述方法还包括：

在经由所述辅助虚设孔图案形成所述辅助虚设孔时，还同时通过所述虚拟沟道图案刻蚀所述电介质堆叠结构以在所述台阶区形成贯穿所述电介质堆叠结构的虚拟沟道；以及

在以第一材料填充所述辅助虚设孔形成所述辅助虚拟结构时，还同时在所述虚拟沟道中填充所述第一材料以形成虚拟沟道结构。

11.根据权利要求3所述的方法，所述电介质堆叠结构包括交替叠置的绝缘层和栅极牺牲层，其中，在所述栅缝隙内形成所述共源极结构之前，所述方法还包括：

经由所述栅缝隙去除所述栅极牺牲层以形成牺牲间隙；以及

在所述牺牲间隙内形成栅极层。

12.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底的一侧上，并包括核心区；

沟道结构，位于所述核心区并贯穿所述叠层结构；

共源极结构，贯穿所述叠层结构；

辅助虚拟结构，至少部分所述辅助虚拟结构位于所述核心区的边缘，其中，所述辅助虚拟结构电隔离所述沟道结构和所述共源极结构。