[发明专利]带涂覆层的光学组件及使用方法

权利要求书

1.一种光学组件，包括：

多个纳米管束的基体；和

所述多个纳米管束上的涂覆层，所述涂覆层包围个体纳米管束中的个体纳米管。

2.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si₃N₄)、二氮化硅(SiN₂)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi₂)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTi_xN_y)、钼(Mo)、氮化钼(MoN₂)、碳化钼(Mo₄C和Mo₂C)、硅化钼(MoSi₂)、氮化钼硅(MoSi_xN_y)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF₄)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiC_xN_y)、氮化铪(HfN_x)、氟化铪(HfF₄)和氮化钒(VN)。

3.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述涂覆层包括以下项中的一者或多者：硼(B)、氮化硼硅(BNSi)、氮化硅(Si₃N₄)、二氮化硅(SiN₂)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、单硅化铌(NbSi)、硅化铌(NbSi₂)、氮化铌硅(NbSiN)、氮化铌钛(NbTi_xN_y)、氮化锆(ZrN)、氟化锆(ZrF₄)、氮化钇(YN)、氟化钇(YF)、氮化钛(TiN)、碳氮化钛(TiC_xN_y)、氮化铪(HfN_x)、氟化铪(HfF₄)和氮化钒(VN)。

4.根据权利要求1所述的光学组件，还包括多个个体不成束纳米管。

5.根据权利要求4所述的光学组件，其中，有涂覆层位于所述多个个体不成束纳米管上。

6.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述多个纳米管束上的所述涂覆层包括纳米管束上的涂覆层和该纳米管束的个体碳纳米管上的涂覆层。

7.根据权利要求1所述的光学组件，其中，所述多个纳米管束包括碳纳米管。

8.一种光学组件的使用方法，包括：

在极紫外(EUV)光刻系统中产生EUV辐射；

使所述极紫外线辐射穿过薄膜膜片的涂覆层；

使已穿过所述涂覆层的极紫外线辐射穿过所述薄膜膜片的透明层；

从掩模反射已穿过所述透明层的极紫外线辐射；以及

在半导体衬底上接收由所述掩模反射的极紫外线辐射。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述薄膜膜片的透明层包括多晶硅(poly-Si)、非晶硅(a-Si)、掺杂硅或掺杂硅基化合物、碳纳米管、硅碳纳米管或氮化硼纳米管。

10.一种形成光学组件的方法，包括：

形成纳米管的基体；

通过第一工艺在所述纳米管的基体中的纳米管上形成保护层；以及

通过第二工艺在所述保护层上形成涂覆层。