[发明专利]用于填充间隙的方法和系统

权利要求书

1.一种填充间隙的方法，该方法包括：

向反应室提供衬底，该衬底包括间隙；

将衬底暴露于前体和反应物，前体和反应物中的至少一个包含金属或准金属，并且前体和反应物中的至少一个包含卤素；

从而允许前体和反应物形成间隙填充流体；并且

从而用间隙填充流体至少部分地填充间隙，间隙填充流体包含金属或准金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充流体包含所述金属或准金属和卤素。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述前体和反应物热形成所述间隙填充流体。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述金属或准金属包括选自W,Ge,Sb,Te,Nb,Ta,V,Ti,Zr,Rh,Fe,Cr,Mo,Au,Pt,Ag,Ni,Cu,Co,Zn,Al,In,Sn和Bi的元素。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述前体包含烷基取代的苯环。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述反应物包含选自X-X键、H-X键、C-X键、P-X键、N-X键和S-X键的键；其中X是卤素。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述反应物包括卤代烷。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述前体包括双(乙基苯)钼，并且其中，所述反应物包括1,2-二碘乙烷。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，将所述衬底暴露于前体和反应物包括一个或多个沉积循环，沉积循环包括前体脉冲和反应物脉冲；

-其中，前体脉冲包括将衬底暴露于前体；并且

-其中，反应物脉冲包括将衬底暴露于反应物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积循环还包括氮反应物脉冲，并且其中，氮反应物脉冲包括将所述衬底暴露于氮反应物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积循环包括在执行反应物脉冲之前或之后顺序执行多个后续前体脉冲和氮反应物脉冲。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中，当允许前体和反应物形成间隙填充流体时，前体和反应物同时反应以在间隙中形成保形衬里。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，包括将所述衬底暴露于转变处理的步骤。

14.根据权利要求13所述的方法，包括多个超级循环，超级循环包括将所述衬底暴露于前体和反应物的步骤，以及将衬底暴露于转变处理的步骤。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，所述转变处理包括将所述衬底暴露于等离子体。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，其中，所述转变处理包括将所述衬底暴露于自由基和离子中的至少一个。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的方法，其中，所述转变处理包括将所述衬底暴露于热退火，所述热退火包括将所述衬底暴露于氧化剂、氮化剂、还原剂和惰性气体中的至少一个。

18.根据权利要求13至17中任一项所述的方法，其中，所述转变处理包括将所述衬底暴露于紫外辐射。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的方法，其中，所述间隙包括远端和侧壁，并且其中，所述远端和侧壁包括相同的材料。

20.一种系统，包括：

反应室；

包括金属前体的前体气体源；

包括沉积反应物的沉积反应物气体源；以及

控制器，其中，控制器配置成通过根据权利要求1至19中任一项所述的方法来控制气体流入反应室，以填充包含在衬底中的间隙。