[发明专利]用于填充间隙的方法和系统

说明书

公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括用间隙填充流体至少部分地填充间隙。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。

技术领域

本公开总体涉及半导体处理方法和系统的领域，并且涉及集成电路制造的领域。具体而言，公开了适用于填充间隙的方法和系统。

背景技术

半导体器件(例如逻辑器件和存储器件)的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度显著提高。然而，传统的器件缩放技术面临着未来技术节点的重大挑战。

例如，一个挑战是寻找合适的方法来用一种材料填充间隙比如凹槽、沟槽、通孔等，而不形成任何间隙或空隙。

在本部分中阐述的任何讨论(包括问题和解决方案的讨论)已经包括在本公开中，仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息在本发明被制造时是已知的或以其他方式构成现有技术。

发明内容

本发明内容可以简化的形式介绍一些概念，这将在下面进一步详细描述。本发明内容不一定旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

本公开的各种实施例涉及填充间隙的方法、使用这种方法形成的结构和器件以及用于执行该方法和/或用于形成该结构和/或器件的设备。通过本文所述方法形成的材料可用于多种应用。例如，它们可以用于集成电路制造领域。

因此，本文描述了一种填充间隙的方法。该方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括将衬底暴露于前体和反应物。前体和反应物中的至少一个包括金属或准金属，并且前体和反应物中的至少一个包括卤素。因此，允许前体和反应物形成间隙填充流体。此外，间隙至少部分地填充有间隙填充流体。应当理解，间隙填充流体包括金属或准金属。

本文进一步描述了一种系统。该系统包括反应室和前体气体源。前体气体源包括金属前体。该系统还包括沉积反应物气体源。沉积反应物气体源包括沉积反应物。该系统还包括控制器。控制器配置成控制气体流入反应室，以通过本文所述的方法在衬底上形成层。

通过参考附图对某些实施例的以下详细描述，这些和其他实施例对于本领域技术人员来说将变得显而易见。本发明不限于所公开的任何特定实施例。

附图说明

专利或申请文件包含至少一幅彩色附图。根据请求并支付必要的费用，专利局提供本专利或专利申请出版物的彩色图纸副本。

当结合以下说明性附图考虑时，通过参考详细描述和权利要求，可以获得对本公开实施例的更完整理解。

图1示出了本文公开的方法的实施例。

图2示出了本文公开的方法的实施例。

图3示出了根据本公开的另外示例性实施例的系统300的实施例。

图4以程式化的方式示出了本文所述的系统400的另一实施例。

图5示出了包括间隙510的衬底500的程式化表示。

图6-10示出了根据本公开的实施例在用间隙填充流体填充的间隙上获得的实验数据。

应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并不一定是按比例绘制的。例如，图中的一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大，以有助于提高对本公开的所示实施例的理解。

具体实施方式