[发明专利]具有TMD结构的MEMS设备

权利要求书

1.MEMS设备(10)，包括：

悬挂电极结构(12；13)，被锚定到基板(14)，所述MEMS设备(10)具有MEMS谐振模式，以及

TMD(调谐质量阻尼)结构(16)，其中所述悬挂电极结构(12；13)的部分被布置成形成所述TMD结构(16)，所述TMD结构具有TMD弹簧元件(16-2)和TMD质量元件(16-1)，所述TMD结构用于提供TMD谐振模式，所述TMD谐振模式抵消所述MEMS谐振模式。

2.根据权利要求1所述的MEMS设备(10)，其中所述MEMS设备(10)包括第一悬挂电极(12)和第二悬挂电极(13)，所述第一悬挂电极(12)和所述第二悬挂电极(13)彼此间隔开，并且至少部分地彼此相对，并且所述第一悬挂电极(12)和所述第二悬挂电极(13)都被锚定到所述基板(14)。

3.根据权利要求2所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD结构(16)被布置在所述第一悬挂电极(12)或所述第二悬挂电极(13)的中心部分。

4.根据权利要求2或3所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD结构(16)被布置为邻近所述第一悬挂电极(12)或所述第二悬挂电极(13)中的通风孔(13-3)。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述第一电极(12)和所述第二电极(13)作为声音换能器操作。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述第一电极(12)和所述第二电极(13)作为电容传感器操作。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述第一电极(12)和所述第二电极(13)作为音频麦克风操作。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述第一电极(12)是膜元件，并且所述第二电极(13)是对电极。

9.根据权利要求8所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD结构(16)是所述膜元件(12)的一体部分。

10.根据权利要求8或9所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD结构(16)是所述对电极(13)的一体部分。

11.根据权利要求10所述的MEMS设备(10)，其中所述对电极(13)包括穿孔(13-1)，所述穿孔具有多个贯穿孔(13-2)，其中与所述对电极(13)的剩余部分相比，所述TMD元件(16)的所述对电极部分中的所述贯穿孔(13-2)的至少一部分包括减小的孔径和/或减小的孔密度。

12.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD弹簧元件包括经调整的弹性模量和经调整的TMD质量，用于调整所述TMD谐振模式的TMD谐振频率，所述TMD谐振模式抵消具有MEMS谐振频率的所述MEMS谐振模式。

13.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD质量元件(16-1)包括附加质量元件(16-1a)，用于增加所得到的TMD质量，并且降低所得到的TMD谐振频率。

14.根据权利要求2至13中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述TMD结构(16)是所述第一悬挂电极结构(12)的一体部分，其中所述第二悬挂电极结构(13)的分离部分形成所述TMD结构(16)的附加质量元件(16-1a)。

15.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS设备(10)，其中所述MEMS设备(10)在单对电极配置、双对电极配置或密封双膜配置中作为音频麦克风操作。