[发明专利]电子装置在审
申请号: | 202210212475.1 | 申请日: | 2022-03-04 |
公开(公告)号: | CN115084199A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 崔庆铉;高武恂;郑震九 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
显示面板,在所述显示面板中限定有包括显示区域、线区域和透射区域的第一区域以及与所述第一区域相邻的第二区域,其中,所述显示面板包括基层、布置在所述基层上的阻挡层、布置在所述阻挡层上的阻光层、布置在所述基层上的多个绝缘层、布置在所述第一区域中的第一像素以及布置在所述第二区域中的第二像素;以及
输入传感器,布置在所述显示面板上,其中,所述输入传感器包括多个感测绝缘层,
其中,所述第一区域具有比所述第二区域更高的透光率,
所述阻光层与所述显示区域和所述线区域重叠,并且
所述阻光层不与所述透射区域重叠。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中,当在平面视图中观察时,所述透射区域被所述显示区域和所述线区域围绕。
3.如权利要求1所述的电子装置,其中,所述显示面板包括:
电路元件层,包括所述基层、所述阻挡层、所述阻光层、布置在所述阻挡层上的缓冲层、所述多个绝缘层以及布置在所述多个绝缘层之间的多个晶体管;
显示元件层,包括发光二极管和像素限定层,所述发光二极管包括与所述多个晶体管中的第一晶体管连接的第一电极、第二电极以及布置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层,所述像素限定层设置有通过所述像素限定层限定的开口以暴露所述第一电极的至少一部分;以及
薄膜封装层,覆盖所述显示元件层,其中,所述薄膜封装层包括第一无机层、第二无机层以及布置在所述第一无机层与所述第二无机层之间的有机层。
4.如权利要求3所述的电子装置,其中,
所述多个绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层、第六绝缘层和第七绝缘层,
所述多个晶体管之中的一个晶体管包括:
第一半导体图案,布置在所述缓冲层上,并且被所述第一绝缘层覆盖,其中,所述第一半导体图案包括包含多晶硅的第一有源部;
第一栅极,布置在所述第一绝缘层上,被所述第二绝缘层覆盖,并且与所述第一有源部重叠;以及
上电极,布置在所述第二绝缘层上,被所述第三绝缘层覆盖,
并且与所述第一栅极重叠,并且
所述多个晶体管之中的另一晶体管包括:
第二半导体图案,布置在所述第三绝缘层上,并且被所述第四绝缘层覆盖,其中,所述第二半导体图案包括包含金属氧化物的第二有源部;以及
第二栅极,布置在所述第四绝缘层上,被所述第五绝缘层覆盖,并且与所述第二有源部重叠。
5.如权利要求4所述的电子装置,还包括:
第一连接电极,布置在所述第五绝缘层上,被所述第六绝缘层覆盖,并且经由通过所述第一绝缘层至所述第五绝缘层限定的第一接触孔连接到所述多个晶体管中的所述第一晶体管;以及
第二连接电极,布置在所述第六绝缘层上,被所述第七绝缘层覆盖,并且经由通过所述第六绝缘层限定的第二接触孔将所述第一电极连接到所述第一连接电极。
6.如权利要求5所述的电子装置,其中,所述线区域包括:
第一栅极线,布置在所述第一绝缘层上并且从所述第一栅极分出;
上电极线,布置在所述第二绝缘层上并且从所述上电极分出;
第二栅极线,布置在所述第四绝缘层上并且从所述第二栅极分出;
第一连接电极线,布置在所述第五绝缘层上并且从所述第一连接电极分出;以及
第二连接电极线,布置在所述第六绝缘层上并且从所述第二连接电极分出。
7.如权利要求6所述的电子装置,其中,所述透射区域与所述基层、所述阻挡层、所述缓冲层、所述第六绝缘层、所述第一无机层、所述有机层和所述第二无机层重叠。
8.如权利要求5所述的电子装置,还包括:
保护图案,与所述透射区域相邻,并且布置在选自所述第六绝缘层和所述第七绝缘层中的至少一个上,其中,所述保护图案包括金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210212475.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置和包括其的拼接显示装置
- 下一篇:点火方法和等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的