[发明专利]点火方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供能够实现稳定的等离子体点火的点火方法和等离子体处理装置。该点火方法是在等离子体处理装置中的点火方法，上述等离子体处理装置包括：高频电源，其施加被控制为可变的频率的高频；等离子体生成部，其具有能够被施加上述高频的电极，从气体生成等离子体；和设置于上述高频电源与上述电极之间的匹配器，上述点火方法包括：从上述高频电源将第1频率的高频施加到上述电极，用上述等离子体生成部将等离子体点火的工序；和从上述高频电源施加上述第1频率的高频起经过规定时间后，施加与上述第1频率的高频不同的第2频率的高频。

技术领域

本发明涉及点火方法和等离子体处理装置。

背景技术

例如，专利文献1公开一种等离子体处理方法，其能够在相对配置的上部电极与基座之间产生等离子体，并可靠地进行维持。专利文献1设置使供在等离子体的点火前后从VF电源产生的高频电流流动的第1路径L1的反射最小频率F1与第2路径L2的反射最小频率F2之间减少的辅助电路，将等离子体点火并进行维持。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-122150号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够实现稳定的等离子体点火的技术。

用于解决技术问题的技术手段

依照本发明的一个方式的点火方法，其为在等离子体处理装置中的点火方法，上述等离子体处理装置包括：高频电源，其施加被控制为可变的频率的高频；等离子体生成部，其具有能够被施加上述高频的电极，从气体生成等离子体；和设置于上述高频电源与上述电极之间的匹配器，上述点火方法包括：从上述高频电源将第1频率的高频施加到上述电极，用上述等离子体生成部将等离子体点火的工序；和从上述高频电源施加上述第1频率的高频起经过规定时间后，施加与上述第1频率的高频不同的第2频率的高频。

发明效果

依照本发明的一个方面，能够实现稳定的等离子体点火。

附图说明

图1是一个实施方式的等离子体处理装置的纵剖面图。

图2是一个实施方式的等离子体处理装置的横剖面图。

图3是一个实施方式的RF电源和匹配器的内部结构图。

图4是一个实施方式的控制部的硬件结构图。

图5是表示一个实施方式的条件表的一例的图。

图6是表示RF电源的频率与电极间电压的相关性的图表。

图7是表示一个实施方式的成膜方法的流程图。

图8是用于说明一个实施方式的成膜方法的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中，存在对相同结构部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明的情况。

[等离子体处理装置]

首先，参照图1和图2，对本发明中的等离子体处理装置100的结构的一例进行说明。图1是一实施方式的等离子体处理装置100的纵剖面图。图2是一实施方式的等离子体处理装置100的横剖面图。等离子体处理装置100具有下端开口的有顶的圆筒体状的处理容器1。处理容器1整体例如由石英形成。在处理容器1内的上端附近，设置有由石英形成的顶板2，顶板2的下侧的区域被密封。在处理容器1的下端的开口，成型为圆筒体状的金属制的岐管3经由O形环等密封部件4连结。