[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202210220366.4 | 申请日: | 2022-03-08 |
公开(公告)号: | CN115083953A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 御所真高;山中励二郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,能够得到表示混合流体中的干燥液的浓度的指标。基板处理装置具有处理容器、排出线路以及密度检测部。向所述处理容器供给超临界流体来将盛放在基板上的干燥液置换为所述超临界流体,由此将所述基板干燥。所述排出线路用于从所述处理容器的内部排出包含所述超临界流体和所述干燥液的混合流体。所述密度检测部检测在所述排出线路中流动的所述混合流体的密度。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基板处理装置具备干燥处理部、排出线路、获取部以及检测部。干燥处理部使表面被液体湿润的状态的基板与超临界流体接触来将液体置换为超临界流体,由此进行基板的干燥处理。排出线路设置于干燥处理部,用于从干燥处理部排出流体。获取部设置于排出线路,用于获取针对从干燥处理部排出的流体的光学信息。检测部基于由获取部获取到的光学信息来检测干燥处理部内有无液体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2018/173861号
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种得到表示混合流体中的干燥液的浓度的指标的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具有处理容器、排出线路以及密度检测部。向所述处理容器供给超临界流体来将盛放在基板上的干燥液置换为所述超临界流体,由此将所述基板干燥。所述排出线路用于从所述处理容器的内部排出包含所述超临界流体和所述干燥液的混合流体。所述密度检测部检测在所述排出线路中流动的所述混合流体的密度。
发明的效果
根据本公开的一个方式,能够得到表示混合流体中的干燥液的浓度的指标。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。
图2是表示图1的处理容器的立体图。
图3是表示一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图4是表示一个实施方式所涉及的排出线路的图。
图5是表示第一变形例所涉及的排出线路的图。
图6是表示第二变形例所涉及的排出线路的图。
图7是通过功能块表示控制装置的构成要素的一例的图。
图8的(A)是表示混合流体的密度和基准密度的变化的一例的图,图8的(B)是表示混合流体的密度与基准密度的密度差的变化的一例的图。
图9是表示纯粹的超临界流体的密度、压力以及温度的关系的一例的图。
图10是表示通过干燥结束检测部进行的处理的一例的流程图。
图11是表示通过干燥异常检测部进行的处理的一例的流程图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明本公开的实施方式。此外,在各附图中对相同或对应的结构标注相同的标记,并且有时省略说明。在本说明书中,上游是指超临界流体的流动方向上游,下游是指超临界流体的流动方向下游。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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