[发明专利]阵列基板及制作方法在审

专利信息
申请号: 202210231854.5 申请日: 2022-03-09
公开(公告)号: CN114594639A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 钟德镇;郑会龙;刘厚锋 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215301 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制作方法
【说明书】:

发明公开了一种阵列基板及制作方法,该阵列基板包括:基底;设于基底上的数据线、底栅以及导电部;覆盖数据线、底栅及导电部的第一绝缘层;设于第一绝缘层上的有源层、源极、漏极以及像素电极;设于第一绝缘层上的栅极绝缘层以及设于栅极绝缘层上的扫描线和顶栅,有源层在基底上的投影与顶栅和底栅在基底上投影的交叠区域相对应,底栅通过导电部与扫描线导电连接。通过在有源层上下侧分别设置顶栅和底栅,顶栅和底栅分别可以为有源层遮挡外界环境光和背光,而且顶栅和底栅还可做为屏蔽电极,以避免有源层受到数据信号的干扰,底栅与数据线均采用同一金属层制成,大大简化了制作工艺;另外通过顶栅和底栅同时控制有源层,使得TFT的性能更好。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域,特别是涉及一种阵列基板及制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展,轻薄化的显示面板倍受消费者的喜爱,尤其是轻薄化的液晶显示面板(liquid crystal display,LCD)。

现有的一种显示装置包括薄膜晶体管阵列基板(简称阵列基板,Thin FilmTransistor Array Substrate,TFT Array Substrate)、彩膜基板(Color FilterSubstrate,CF Substrate)以及填充在薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子,上述显示装置工作时,在薄膜晶体管阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极分别施加驱动电压或者在薄膜晶体管阵列基板的公共电极和像素电极分别施加驱动电压,控制两个基板之间的液晶分子的旋转方向,以将显示装置的背光模组提供的背光折射出来,从而显示画面。

现有技术中的氧化物薄膜晶体管(TFT)具有优异的电学性能、大面积制造均匀性及低制造成本等优势,有望在各类平板显示产品中实现应用。应用于LCD显示面板时,底栅型TFT的栅极可作为遮光层,可避免氧化物有源层因受到被光照而导致的器件特性退化。除了底栅型TFT,现有技术中具有顶栅型TFT,为了节省制作工艺,源电极、漏电极以及有源层通常采用同一层金属氧化物半导体层制成,然后以顶栅型TFT的栅极为遮挡,来对金属氧化物半导体层进行导体化处理,从而可以使得栅极与源漏电极的交叠量减小,器件寄生电容减小。但是为了避免氧化物有源层因受到被光照而导致的器件特性退化,因此,顶栅型TFT还需要在底部单独设置遮光层,增加了制作工艺。

为了同时兼顾底栅型TFT和顶栅型TFT的优点,出现了双栅型TFT,双栅型TFT相对于单栅器件具有更大驱动电流,更陡的亚阈值斜率等特性优势,但黄光制程往往是工厂产能瓶颈所在,双栅型TFT的制作工艺相对于单栅器件更加复杂。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种阵列基板及制作方法,以解决现有技术中双栅型TFT制作工艺复杂的问题。

本发明的目的通过下述技术方案实现:

本发明提供一种阵列基板,包括:

基底;

设于所述基底上表面的第一金属层,所述第一金属层包括数据线、与所述数据线相互绝缘的底栅以及与所述底栅导电连接的导电部;

设于所述第一金属层上表面的第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述数据线、所述底栅以及所述导电部;

设于所述第一绝缘层上方的金属氧化物半导体层,所述金属氧化物半导体层包括导体部和半导体部,所述半导体部包括有源层,所述导体部包括源极、漏极以及像素电极,所述源极和所述漏极通过所述有源层连接,所述源极与所述数据线导电连接,所述像素电极与所述漏极导电连接;

设于所述金属氧化物半导体层上方的栅极绝缘层以及设于所述栅极绝缘层上方的第二金属层,所述第二金属层包括扫描线和顶栅,所述有源层在所述基底上的投影与所述顶栅和所述底栅在所述基底上投影的交叠区域相对应,所述扫描线与所述有源层相重叠的区域做为所述顶栅,所述导电部与所述扫描线导电连接。

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