[发明专利]一种三元非晶合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202210236075.4 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114574786B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 王建国;刘霄;周靖 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | C22C45/10 | 分类号： | C22C45/10;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 523808 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三元 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种三元非晶合金薄膜，包括如下原子百分比的组分：Ta44.5～45.5％，W 35.5～36.5％和Co 18.5～19.5％。
2.如权利要求1所述的三元非晶合金薄膜，其特征在于，包括如下原子百分比的组分：Ta44.7～45.3％，W 35.7～36.3％和Co 18.7～19.3％。
3.如权利要求2所述的三元非晶合金薄膜，其特征在于，包括如下原子百分比的组分：Ta44.9～45.1％，W 35.9～36.1％和Co 18.9～19.1％。
4.如权利要求3所述的三元非晶合金薄膜，其特征在于，包括如下原子百分比的组分：Ta45％，W 36％和Co 19％。
5.一种如权利要求1～4任一项所述的三元非晶合金薄膜的制备方法，包括：以纯Ta、纯W和纯Co为靶材，在衬底表面进行磁控溅射，得到三元非晶合金薄膜。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射时纯Ta靶材的溅射功率和纯W靶材的溅射功率独立地为210～300W，纯Co靶材的溅射功率为30～45W。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的温度为50～80℃，磁控溅射的时间为30～60min。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的氛围为真空通入氩气氛围；所述真空通入氩气氛围的压强为0.5～0.9Pa。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述通入氩气的流量为40～85sccm。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述衬底与纯Ta、纯W和纯Co靶材的距离独立地为90～110mm。
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