[发明专利]晶圆加工方法及晶圆加工装置有效
申请号: | 202210236118.9 | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN114582713B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 高阳;张宁宁;葛凡;周鑫;蔡国庆 | 申请(专利权)人: | 江苏京创先进电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683;B08B3/02 |
代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297 | 代理人: | 顾祥安 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 装置 | ||
本发明揭示了晶圆加工方法及晶圆加工装置,其中加工方法在环切之后对晶圆进行清洗及UV解胶,能够有效地避免切割的碎屑以及薄膜表面的胶层对后续取环的影响,有利于保证取环的实现,并且在环切、UV解胶、取环每个动作前,通过一套定心机构进行晶圆的定位,能够有效保证晶圆在环切、UV解胶、取环工位处的位置精度和一致性,有利于保证环切的精度及取环的稳定实现,并且本方案通过一套自动化设备能够实现上料、环切、清洗、UV解胶、取环、下料的全过程自动实现,自动化程度高,无需人工干预,能够持续高效加工。
技术领域
本发明涉及晶圆加工领域,尤其是晶圆加工方法及晶圆加工装置。
背景技术
在晶圆加工时,Taiko减薄工艺是一种成熟工艺,其主要包含贴膜,减薄,揭膜,背面工艺,切割膜(Dicing tape)贴附,环切,取环等步骤。
环切及取环是在不同的工位之间进行,而晶圆在不同工位处的位置精度严重影响了环切的精度和取环的稳定实现。
并且,取环时,除了晶圆位置精度外,切割产生的碎屑、薄膜的粘性等因素也会极大地影响取环的稳定实现。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种晶圆加工方法及晶圆加工装置。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
晶圆加工方法,包括如下步骤:
S1,取料机构将供料机构中位于取料高度的晶圆取出并放置于工作台上;
S2,定心移动机构使晶圆调整至与工作台同心的状态;
S3,工作台移动使其上同心固定的晶圆移动至环切工位;
S4,环切工位的切割机构启动对晶圆进行环切加工;环切加工时,通过检测装置确定晶圆的圆心及其上支撑环的半径,并根据测得的圆心及半径控制切割机构进行环切;
S5,切割后,工作台移出环切工位,移载机构将环切后的晶圆移动到清洗工位进行清洗;
S6,清洗后,将晶圆移动至UV解胶工位,通过定心移动机构使晶圆调整至与UV照射台同心的状态后,通过UV照射使支撑环与晶圆框架之间的薄膜上的胶去除粘性;
S7,定心移动机构将晶圆由UV解胶工位移动至剥离工位,并使晶圆与剥离台调整至同心状态,剥离机械手将固定在剥离台上的晶圆支撑环从晶圆上取下并移动到废环收集盒内,定心移动机构将剥离支撑环的晶圆下料。
优选的,所述S1包括如下步骤:
S11,供料机构使其上的一晶圆移动至取料高度;
S12,支撑机构的两条支撑轨道相向移动至第三位置;
S13,取料机构向所述晶圆移动至夹取位置后,将所述晶圆抓取并移动至两条支撑轨道上;
S14,取料机构通过吸附头从所述晶圆的顶部将晶圆吸附;
S15,两条所述支撑轨道背向移动至第四位置,所述取料机构将其吸附的晶圆放置到所述工作台上。
优选的,在所述S3中,先通过真空吸附将晶圆吸附在工作台上,然后通过一组第一固定机构压紧晶圆的晶圆框架。
优选的,所述S5中,所述晶圆经过水洗、气吹及甩干三个阶段。
优选的,所述S5中,所述晶圆在清洗过程中由清洗工位的清洗台驱动转动,用于清洗的喷头在晶圆的顶部沿弧形往复摆动,所述喷头的摆动轨迹在所述清洗台上的晶圆顶面的投影跨过所述支撑环的内外侧。
优选的,所述S6中 ,所述UV照射台的直径与所述支撑环的外经相当。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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