[发明专利]一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管有效
| 申请号： | 202210244015.7 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114335267B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 制备 方法 以及 发光二极管 | ||
1.一种外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
通过Ga量的变化在所述缓冲层上进行渐变生长第一GaN层，后恒定生长第二GaN层以形成三维生长GaN层；
在所述第二GaN层依次生长不掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型掺杂的GaN层；
在进行恒定生长时，在所述第二GaN层中通入预设流量的Ga量，在进行渐变生长时，所述第一GaN层中的Ga量通入的流量由所述预设流量的预设占比渐变至所述预设流量，所述预设占比为0.2至0.9，所述第一GaN层的生长时间为3~10min，所述第二GaN层的生长时间为8~20min。
2.根据权利要求1所述的外延片制备方法，其特征在于，在进行渐变生长时，所述第一GaN层中的Ga量通入的流量由所述预设流量的0.7倍渐变至所述预设流量。
3.根据权利要求1所述的外延片制备方法，其特征在于，所述第一GaN层的生长时间为5min，所述第二GaN层的生长时间为15min。
4.一种外延片，其特征在于，所述外延片由权利要求1至3中任一项所述的外延片制备方法制备得到，所述外延片包括：
衬底；
依次生长在所述衬底上的缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型掺杂的GaN层；
其中，所述三维生长的GaN层包括依次生长的第一GaN层和第二GaN层，所述第一GaN层通过Ga量的变化渐变进行生长，所述第二GaN层通过恒定方式进行生长，所述第一GaN层设置在靠近所述缓冲层的一侧。
5.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括权利要求4中所述的外延片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210244015.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
