[发明专利]半导体场效应管的去饱和保护电路及功率器件

权利要求书

1.一种半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述半导体场效应管的去饱和保护电路包括MOS管、高压二极管和旁路电容；

所述MOS管的漏极连接所述高压二极管的负极，所述旁路电容的一端并联在所述高压二极管的正极，所述旁路电容的另一端接地；

所述旁路电容，用于对去饱和保护电路中存在的位移电流进行分流，其中，所述位移电流是由于所述MOS管的体二极管处于反向恢复期间所产生的高dv/dt，所述高dv/dt经由所述高压二极管的结电容会引入所述位移电流。

2.如权利要求1所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述半导体场效应管的去饱和保护电路还包括输出模块；

所述输出模块与所述高压二极管的正极相连接；

所述输出模块，用于将所述MOS管的体二极管处于反向恢复期间时产生的位移电流引入地平面，还用于输出低电平。

3.如权利要求2所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述输出模块包括限流电阻、充电电阻、去饱和消隐电容、去耦电容和电压源；

所述限流电阻的一端连接所述高压二极管的正极；

所述充电电阻、去饱和消隐电容和所述电压源串联，所述限流电阻的另一端接在所述充电电阻和所述去饱和消隐电容的连接点上，所述去饱和消隐电容远离所述充电电阻的一端接地；

所述去耦电容的一端连接所述电压源，所述去耦电容的另一端接地。

4.如权利要求3所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述输出模块还包括比较器、充电电流源和基准电压源；

所述比较器的反相输入端连接所述限流电阻，所述充电电流源接在所述比较器的反向输入端上；

所述比较器的正相输入端连接所述基准电压源的正极，所述基准电压源的负极接地。

5.如权利要求4所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述高压二极管还包括结电容；

所述结电容并联在所述高压二极管两端；

所述结电容可选取耐压性高于常规结电容和通流性低于常规结电容的低结电容。

6.如权利要求5所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述半导体场效应管的去饱和保护电路还包括若干个高压二极管；

所述若干个高压二极管串联。

7.如权利要求6所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述半导体场效应管的去饱和保护电路的布线选用细线；

所述细线，用于增加所述半导体场效应管的去饱和保护电路的回路阻抗，降低所述结电容的水平和位移电流。

8.如权利要求7所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，所述半导体场效应管的去饱和保护电路还包括若干个电阻；

所述若干个电阻与所述限流电阻和所述充电电阻串联和/或并联。

9.如权利要求8所述的半导体场效应管的去饱和保护电路，其特征在于，降低所述MOS管的开通速度。

10.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括如权利要求1至9任意一项所述的半导体场效应管的去饱和保护电路。