[发明专利]多层布线层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多层布线层结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101、制备得到具有第n开口阵列的第n层介电层；

步骤S102、在所述第n层介电层的第n开口阵列上制备第n层种子层，使所述第n层种子层包覆在所述第n层介电层上；

步骤S103、在所述第n层种子层上形成具有第n开口图案的第n层牺牲层；

步骤S104、在所述第n层牺牲层的第n开口图案中制备得到第n层金属布线层，去除所述第n层牺牲层后得到第n层布线层结构；

步骤S105、重复S101-S104的步骤，在所述第n层布线层结构上制备得到第n+1层布线层结构，直至完成所述多层布线层结构的制备；

其中，n为正整数，当n＞1时，所述第n层介电层通过胶膜在第n-1层金属布线层上制备得到。

2.如权利要求1所述的多层布线层结构的制备方法，其特征在于，当n＝1时，通过旋涂光刻胶或热压整平胶膜制备得到具有第一开口阵列的第一层介电层。

3.如权利要求2所述的多层布线层结构的制备方法，其特征在于，在通过旋涂光刻胶或热压整平胶膜制备得到具有第一开口阵列的第一层介电层之前，所述方法还包括：

提供一载板，在所述载板上制备键合层，使所述第一层介电层在所述键合层上进行制备。

4.如权利要求1所述的多层布线层结构的制备方法，其特征在于，制备得到具有第n开口阵列的第n层介电层，包括：

将胶膜分别通过真空热压和整平处理黏贴在所述第n-1层金属布线层上，形成胶膜层；

对所述胶膜层通过光刻工艺制备得到具有第n开口阵列的第n层介电层。

5.如权利要求1所述的多层布线层结构的制备方法，其特征在于，在所述第n层种子层上形成具有第n开口图案的第n层牺牲层，包括：

旋涂光刻胶液，在所述第n层种子层上制备得到光刻胶层；

对所述光刻胶层通过掩膜进行曝光，制备得到具有第n开口图案的第n层牺牲层。

6.如权利要求1-5任一项所述的多层布线层结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据调整每层介电层的厚度，控制每层金属布线层的金属走线厚度。

7.一种多层布线层结构，其特征在于，第n层布线层结构依次包括：

具有第n开口阵列的第n层介电层、包覆在所述第n层介电层上的第n层种子层、以及设置在所述第n层种子层上的第n层金属布线层；

其中，n为正整数且当n＞1时，所述第n层介电层通过胶膜在第n-1层金属布线层上制备得到。

8.如权利要求7所述的多层布线层结构，其特征在于，当n＝1时，第一层介电层是通过旋涂光刻胶或热压整平胶膜制备得到具有第一开口阵列的介电层。

9.如权利要求8所述的多层布线层结构，其特征在于，所述多层布线层结构还包括：

载板，以及设置在所述载板与所述第一层介电层之间的键合层。

10.如权利要求7所述的多层布线层结构，其特征在于，所述种子层包括：

设置在介电层上的金属阻挡层，以及设置在所述金属阻挡层的铜晶核层。

11.如权利要求8所述的多层布线层结构，其特征在于，第一层介电层的材料包括胶膜或光刻胶。

12.如权利要求11所述的多层布线层结构，其特征在于，所述胶膜包括DAF、DAP、NCF的一种或任意组合。

13.如权利要求11所述的多层布线层结构，其特征在于，所述光刻胶包括聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、丙烯酸系树脂、环氧系树脂、PBO系树脂、硅酮系树脂、苯并环丁烯系树脂、光刻胶树脂的一种或任意组合。