[发明专利]多层布线层结构及其制备方法

说明书

本发明提供多层布线层结构及其制备方法，所述方法包括：制备得到具有第一开口阵列的第n层介电层；在所述第n层介电层的第n开口阵列上制备第n层种子层，使所述第n层种子层包覆在所述第n层介电层上；在所述第n层种子层上形成具有第n开口图案的第n层牺牲层；在所述第n层牺牲层的第n开口图案中制备得到第n层金属布线层，去除所述第n层牺牲层后得到第n层布线层结构；解决了现有技术中的布线层结构存在布线层的走线精度低和不同布线层间的走线对准度低的问题，通过胶膜覆盖不平整的上一层金属布线层表面形成介电层，为当前层的金属布线层制备提供平整的基面，得到具有任意层的走线密度较高且走线对准度较佳的金属布线层结构。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及适用于多层布线层结构及其制备方法。

背景技术

随着市场上对更小的芯片尺寸和更高的集成度的响应，芯片结构趋于小型化，芯片布线层结构也趋于更小的制造尺寸和更高的集成度，而芯片封装工段受限于已有设备制造能力和制造成本，当前相对较为高端的芯片封装工艺中，需要满足对芯片多I/O引脚的高度集成封装，通常采用扇出布线层结构叠加多层金属布线层结构，来实现对芯片不同功能引脚的多层传输线布线。

但在实际的工艺制程中，由于受限于设备的制程能力、制造成本和生产效率等问题，金属布线层在12寸载体上的布线平整度及不同金属布线层间的金属走线对准度成为制备多层金属布线层结构的最大瓶颈。目前，制备第n+1层金属布线层都是在第n层金属布线层的表面进行的，由于受限于设备的制程精度，经过若干个工艺处理后，第n+1层金属布线层的走线精度趋于下降，不同的金属布线层间的金属走线对准度也大大降低。

可见，现有技术中的多层布线层结构存在布线层的走线精度随制备层数趋于降低及由此导致的不同布线层间走线对准度低的问题，给芯片的信号传输和电源传输带来不利影响。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足，本发明提供的多层布线层结构及其制备方法，其解决了现有技术中多层布线层结构存在的走线精度趋于降低低和不同布线层间走线对准度低的问题，通过胶膜覆盖在不平整的上一层金属布线层表面形成介电层，为当前层的金属布线层制备提供平整的基面，得到具有任意层的走线密度较高且走线对准度较佳的多层布线层结构。

第一方面，本发明提供一种多层布线层结构的制备方法，步骤S101、制备得到具有第n开口阵列的第n层介电层；步骤S102、在所述第n层介电层的第n开口阵列上制备第n层种子层，使所述第n层种子层包覆在所述第n层介电层上；步骤S103、在所述第n层种子层上形成具有第n开口图案的第n层牺牲层；步骤S104、在所述第n层牺牲层的第n开口图案中制备得到第n层金属布线层，去除所述第n层牺牲层后得到第n层布线层结构；步骤S105、重复S101-S104的步骤，在所述第n层布线层结构上制备得到第n+1层布线层结构，直至完成所述多层布线层结构的制备；其中，n为正整数，当n＞1时，所述第n层介电层通过胶膜在第n-1层金属布线层上制备得到。

可选地，当n＝1时，通过旋涂光刻胶或热压整平胶膜制备得到具有第一开口阵列的第一层介电层。

可选地，在通过旋涂光刻胶或热压整平胶膜制备得到具有第一开口阵列的第一层介电层之前，所述方法还包括：提供一载板，在所述载板上制备键合层，使所述第一层介电层在所述键合层上进行制备。

可选地，制备得到具有第n开口阵列的第n层介电层，包括：将胶膜分别通过真空热压和整平处理黏贴在所述第n-1层金属布线层上，形成胶膜层；对所述胶膜层通过光刻工艺制备得到具有第n开口阵列的第n层介电层。

可选地，在所述第n层种子层上形成具有第n开口图案的第n层牺牲层，包括：旋涂光刻胶液，在所述第n层种子层上制备得到光刻胶层；对所述光刻胶层通过掩膜进行曝光，制备得到具有第n开口图案的第n层牺牲层。