[发明专利]显示面板及其制备方法与显示装置在审
申请号: | 202210323869.4 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114709223A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 陈艳玲 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示面板及其制备方法与显示装置,所述显示面板包括基板、金属层、绝缘层、电极层,所述金属层与所述绝缘层之间设置有蚀刻阻挡层,且所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料,所述蚀刻阻挡层包括对应所述绝缘层中的过孔设置的蚀刻阻挡部,所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接,通过在所述金属层与所述绝缘层之间对应所述过孔的区域设置蚀刻阻挡层,从而避免在蚀刻形成所述过孔的过程中,导致金属层对应所述过孔区域的表面被等离子体轰击而受损,又由于所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料,不会影响所述金属层与上述电极层的电性连接,解决了因金属层表面在过孔蚀刻的过程中受损而导致显示不良的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法与显示装置。
背景技术
现有的显示面板中包括一阵列基板,其由一定数量的像素阵列构成,每个像素由一个薄膜晶体管进行控制以显示图像,其中薄膜晶体管中包括金属走线,目前,通常采用铜作为金属走线的材料,一方面,铜的电阻较小,有利于降低显示面板的功耗,另一方面,又由于铜具有较小电阻,可采用较细的金属布线,膜厚也可以做的比较薄,因此,有利于提高显示面板开口率,且降低制造成本。
金属走线通常会通过绝缘层的过孔与上层的电极层进行搭接,而在蚀刻形成过孔的过程中,为保证面内各区域的过孔均刻透,通常会进行一定的过刻,而铜的金属活性高,在过刻的过程中,金属走线对应过孔区域的表面会受到等离子体的轰击,表面发生氧化并形成小坑,使得金属走线与上层的电极层间的接触电阻增大,从而导致信号弱或充电不足,进而导致显示面板出现显示不良。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法与显示装置,可解决在蚀刻形成钝化层过孔的过程中易导致下层的金属层表面受损从而引起显示不良的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括:
基板;
金属层,设置于所述基板上;
绝缘层,设置于所述金属层上,包括多个间隔设置的过孔;
电极层,设置于所述绝缘层上;
其中,所述金属层与所述绝缘层之间设置有蚀刻阻挡层,且所述蚀刻阻挡层的材料为导电材料,所述蚀刻阻挡层包括对应多个所述过孔设置的蚀刻阻挡部,所述电极层设置于所述过孔内并通过所述蚀刻阻挡部与所述金属层电性连接。
在本发明一实施例所提供的显示面板中,所述金属层包括第一金属层与第二金属层,所述绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层,所述显示面板还包括有源层;
所述第一金属层设置于所述基板上;
所述第一绝缘层设置于所述第一金属层上;
所述有源层设置于所述第一绝缘层上;
所述第二金属层设置于所述有源层上;
所述第二绝缘层设置于所述第二金属层上;
所述电极层设置于所述第二绝缘层;
多个所述过孔包括贯穿设置于所述第一绝缘层的多个第一过孔与贯穿设置于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的多个第二过孔;
其中,所述蚀刻阻挡层包括设置于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的第一蚀刻阻挡层,和/或设置于所述第二金属层与所述第二绝缘层之间的第二蚀刻阻挡层,所述第一蚀刻阻挡层包括对应多个所述第一过孔设置的第一蚀刻阻挡部,所述电极层设置于所述第一过孔内并通过所述第一蚀刻阻挡部与所述第一金属层电性连接,所述第二蚀刻阻挡层包括对应多个所述第二过孔设置的第二蚀刻阻挡部,所述电极层设置于所述第二过孔内并通过所述第二蚀刻阻挡部与所述第二金属层电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的