[发明专利]适用于消费电子的紧凑型静电防护器件及静电防护电路

权利要求书

1.适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型阱区、第二导电类型阱区及第二导电类型深阱区，所述第二导电类型深阱区设置在所述第一导电类型阱区和第一导电类型衬底之间，用于隔离所述第一导电类型衬底和所述第一导电类型阱区；

所述第一导电类型阱区内设有两个第二类型重掺杂有源区，所述第二导电类型阱区内设有两个第一类型重掺杂有源区；

一第二类型重掺杂有源区和一第一类型重掺杂有源区分别设有电源脚，包括用于连接电源端和电源地端的第一脚和第二脚，另一第二类型重掺杂有源区及另一第一类型重掺杂有源区设有接I/O端口的第三脚。

2.根据权利要求1所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：所述第二导电类型深阱区的范围从硅片表面到其与第一导电类型衬底相连的结深处，呈现出一阱状，所述第一导电类型阱区形成于所述第二导电类型深阱区内。

3.根据权利要求1所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：所述第二导电类型深阱区为设置在所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区下方的埋层，所示第二导电类型阱区为设置在所述第一导电类型阱区外围的、用于隔离所述第一导电类型阱区和第一导电类型衬底的第二导电类型阱区环。

4.根据权利要求1-3任一项所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：所述第一导电类型衬底为P型衬底，所述第一导电类型阱区为P阱区，所述第二导电类型阱区为N阱区，所述第二导电类型深阱区为N深阱，所述第二类型重掺杂有源区为N型重掺杂有源区，所述第一类型重掺杂有源区为P型重掺杂有源区，所述N型重掺杂有源区的电源脚用于接电源端，所述P型重掺杂有源区的电源脚用于接电源地端。

5.根据权利要求1-3任一项所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：所述第一导电类型衬底为N型衬底，所述第一导电类型阱区为N阱区，所述第二导电类型阱区为P阱区，所述第二导电类型深阱区为P深阱，所述第二类型重掺杂有源区为P型重掺杂有源区，所述第一类型重掺杂有源区为N型重掺杂有源区，所述N型重掺杂有源区的电源脚用于接电源端，所述P型重掺杂有源区的电源脚用于接电源地端。

6.根据权利要求1-3任一项所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：所述两个第二类型重掺杂有源区及两个第一类型重掺杂有源区均为条状，在所述第一导电类型衬底上方平行并列设置。

7.根据权利要求1-3任一项所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：所述两个第二类型重掺杂有源区在所述第一导电类型阱区内纵向叠放，两个第一类型重掺杂有源区在第二导电类型阱区内纵向叠放。

8.根据权利要求1-3任一项所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：重掺杂有源区之间设有隔离结构，所述隔离结构包括但不限于浅沟槽隔离结构或场氧化层隔离结构。

9.一种静电防护电路，包括电源模块和权利要求1-8任一项所述的适用于消费电子的紧凑型静电防护器件，其特征在于：还包括设置在电源模块电源轨和电源地轨之间的电源钳位电路，所述紧凑型静电防护器件的数量为一个以上，其两个电源脚分别接电源端和电源地端，第三脚接电子器件内部电路的I/O端口。

10.根据权利要求9所述的静电防护电路，其特征在于：所述电源钳位电路包括但不限于RC延迟触发的MOSFET器件、栅极接地的N-MOSFET器件、栅极接电源的P-MOSFET器件、栅极接电阻的N-MOSFET器件、低电压触发的可控硅整流器（LVTSCR）、二极管辅助触发的可控硅整流器中的一种或多种。