[发明专利]偏光结构、柔性面板及柔性面板的制作方法在审
申请号: | 202210378204.3 | 申请日: | 2022-04-12 |
公开(公告)号: | CN114864842A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 胡廷栋 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;G02B5/30;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李镇江 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏光 结构 柔性 面板 制作方法 | ||
1.一种偏光结构,其特征在于,包括依次层叠且贴合设置的第一离型膜、保护膜、偏光片以及第二离型膜,所述第二离型膜、偏光片及保护膜沿所述第二离型膜至第一离型膜的方向被划分为两部分;所述偏光片包括用于与OLED层贴合的贴合区域,以及用于填充薄膜基板的pad区域的填充区域,所述第二离型膜包括第一离型区域及第二离型区域,所述第一离型区域对应所述贴合区域设置,所述第二离型区域对应所述填充区域设置;所述保护膜包括第一保护区域及第二保护区域,所述第一保护区域对应所述贴合区域设置,所述第二保护区域对应所述填充区域设置,所述第二保护区域、填充区域及第二离型区域构成用于填充所述薄膜基板的pad区域的填充块。
2.如权利要求1所述的偏光结构,其特征在于,所述第二离型膜的厚度趋近于所述OLED层的厚度。
3.如权利要求1所述的偏光结构,其特征在于,所述第一保护区域的面积大于所述第二保护区域的面积,所述第一离型区域的面积大于所述第二离型区域的面积,所述贴合区域的面积大于所述填充区域的面积。
4.一种柔性面板,其特征在于,包括依次层叠设置的偏光结构、OLED层、薄膜基板及BP层,所述薄膜基板具有贴合OLED层的非pad区域,以及未贴合OLED层的pad区域,所述偏光结构为权利要求1至3任一项所述的偏光结构。
5.一种柔性面板的制作方法,其特征在于,所述柔性面板包括依次层叠设置的偏光结构、OLED层、薄膜基板及BP层,所述薄膜基板未贴合OLED层的pad区域,所述方法包括:
将所述偏光结构沿第二离型膜至第一离型膜的方向的切割线进行模切,以将所述第二离型膜、偏光片及保护膜分成待贴合块及填充块,所述待贴合块包括第一离型区域、贴合区域及第一保护区域,所述填充块包括第二离型区域、填充区域及第二保护区域;
将所述待贴合块中第二离型膜的第一离型区域去除后,将所述偏光片的贴合区域贴合于OLED层的一侧,并将填充块填入薄膜基板的pad区域;
将OLED层的另一侧贴合薄膜基板的非pad区域,以及将BP层贴合薄膜基板后,将第一离型膜及附着在第一离型膜上的填充块去除。
6.如权利要求5所述的柔性面板的制作方法,其特征在于,所述偏光片与OLED层之间的剥离力大于所述保护膜与偏光片之间的剥离力;所述保护膜与偏光片之间的剥离力分别大于所述偏光片与第一离型膜及所述偏光片与第二离型膜之间的剥离力。
7.一种偏光结构,其特征在于,包括依次层叠且贴合设置的保护膜、偏光片以及离型膜,所述离型膜及偏光片沿所述离型膜至保护膜的方向被划分为两部分;所述偏光片包括用于与OLED层贴合的贴合区域,以及用于填充薄膜基板的pad区域的填充区域,所述离型膜包括第一离型区域及第二离型区域,所述第一离型区域对应所述贴合区域设置,所述第二离型区域对应所述填充区域设置;所述填充区域及第二离型区域构成用于填充所述薄膜基板的pad区域的填充块。
8.一种柔性面板,其特征在于,包括依次层叠设置的偏光结构、OLED层、薄膜基板及BP层,所述薄膜基板具有贴合OLED层的非pad区域,以及未贴合OLED层的pad区域,所述偏光结构为权利要求7所述的偏光结构。
9.一种柔性面板的制作方法,其特征在于,所述柔性面板包括依次层叠设置的偏光结构、OLED层、薄膜基板及BP层,所述方法包括:
将所述偏光结构沿离型膜至保护膜的方向的切割线进行模切,以将所述离型膜及偏光片分成待贴合块及填充块,所述待贴合块包括第一离型区域及贴合区域,所述填充块包括第二离型区域及填充区域;
将所述待贴合块中离型膜的第一离型区域去除后,将所述偏光片的贴合区域贴合于OLED层的一侧,并将填充块填入薄膜基板的pad区域;
将OLED层的另一侧贴合薄膜基板的非pad区域,以及将BP层贴合薄膜基板后,沿非pad区域与pad区域的分割线对保护膜进行激光切割,以去除部分保护膜及附着在保护膜上的填充块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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