[发明专利]包括功率门控电路的半导体装置在审

专利信息
申请号: 202210379520.2 申请日: 2018-04-02
公开(公告)号: CN114665861A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 金雄来 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;G11C11/4063
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;李少丹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 功率 门控 电路 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

逻辑电路;

功率门控电路,其包括基于所述半导体装置的操作模式而将第一供给电压施加到所述逻辑电路的第一门控晶体管;以及

功率门控控制电路,其基于所述逻辑电路的工艺变化和温度变化中的至少之一而调整给所述第一门控晶体管的第一反向偏置电压的电平。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一反向偏置电压的电平被调整为使得在所述半导体装置的激活操作模式期间由所述逻辑电路消耗的功率被最小化。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

特性监控电路,其通过监控所述逻辑电路的特性来产生特性信息;以及

其中,所述功率门控控制电路基于所述特性信息来调整给所述第一门控晶体管的所述第一反向偏置电压的电平。

4.一种半导体装置,包括:

逻辑电路;

功率门控电路,其包括基于所述半导体装置的操作模式而将第一供给电压施加到所述逻辑电路的第一门控晶体管;以及

特性监控电路,其通过监控所述逻辑电路的工艺变化和温度变化中的至少之一来产生特性信息,所述特性信息用于调整由所述第一门控晶体管接收的第一反向偏置电压的电平。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,还包括:

功率门控控制电路,其基于由所述特性监控电路产生的所述特性信息而将所述第一反向偏置电压供给至所述第一门控晶体管。

6.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,所述第一反向偏置电压的电平被调整为使得在所述半导体装置的激活操作模式期间由所述逻辑电路消耗的功率被最小化。

7.一种半导体装置,包括:

第一逻辑电路;

第一功率门控电路,其包括基于所述半导体装置的操作模式而将第一供给电压施加到所述第一逻辑电路的第一门控晶体管;

第二逻辑电路;

第二功率门控电路,其包括基于所述半导体装置的操作模式而将所述第一供给电压施加到所述第二逻辑电路的第二门控晶体管;以及

功率门控控制电路,其基于所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路的工艺变化和温度变化中的至少之一分别调整给所述第一门控晶体管和所述第二门控晶体管的第一反向偏置电压和第二反向偏置电压的电平。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,所述第一反向偏置电压和所述第二反向偏置电压的电平被调整为使得在所述半导体装置的激活操作模式期间由所述第一逻辑电路消耗的功率和由所述第二逻辑电路消耗的功率被最小化。

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