[发明专利]一种用于RPD的靶材、透明导电薄膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210402600.5 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114807870A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;郭梓旋;莫国仁;徐胜利;陈明高;王志杰;江长久 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/08;H01L31/02;C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 马俊 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 rpd 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种用于RPD的靶材，其特征在于：所述靶材由基体和分散在所述基体中的硅元素组成；
所述基体由以下质量百分数的制备原料组成：
三氧化二铟93％～98.5％、二氧化铈1％～6％和二氧化锡0.1％～2％；
所述硅元素的质量浓度为5ppm～200ppm。
2.根据权利要求1所述的一种用于RPD的靶材，其特征在于：所述二氧化铈在所述基体中的质量分数为2％～6％。
3.根据权利要求1所述的一种用于RPD的靶材，其特征在于：所述二氧化锡在所述基体中的质量分数为0.2％～2％。
4.根据权利要求1所述的一种用于RPD的靶材，其特征在于：所述靶材中硅元素的质量浓度为5ppm～60ppm。
5.一种制备如权利要求1至5任一项所述用于RPD的靶材的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将所述三氧化二铟、所述二氧化铈和所述二氧化锡预烧结；
S2、再将硅源与步骤S1制得的预烧结产物混合、压制后煅烧。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤S1中所述预烧结的温度为1350℃～1550℃。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤S2中所述煅烧的温度为850℃～1050℃。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤S2中所述压制为将所述预烧结产物压制成相对密度为45％～70％。
9.一种透明导电薄膜，其特征在于：由权利要求1至5任一项所述用于RPD的靶材制备得到。
10.一种如权利要求9所述的透明导电薄膜在制备太阳能电池中的应用。
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