[发明专利]多倍频程宽带功率放大器

权利要求书

1.一种多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，包括：依次连接的LC输入匹配网络、驱动网络、级间高阶匹配网络、放大网络和输出高阶匹配网络，所述级间高阶匹配网络包括第一变压器、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第三电感和第四电感，所述第一变压器的初级线圈与驱动网络连接，所述第三电容的两端与第一变压器的次级线圈的两端相连，所述第三电感和第四电感串联后与第六电容并联且一端通过第四电容与第一变压器的次级线圈的一端连接、另一端通过第五电容与第一变压器的次级线圈的另一端连接。

2.如权利要求1所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述输出高阶匹配网络包括第二变压器、第九电容、第十电容、第五电感和第十一电容，所述第二变压器的初级线圈与放大网络连接，所述第九电容的两端与第二变压器的次级线圈的两端相连，所述第五电感与第十一电容并联后的一端连接输出端且通过第十电容与第二变压器的初级线圈的一端连接、另一端与第二变压器的初级线圈的另一端连接且接地。

3.如权利要求2所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述LC输入匹配网络包括第一电感和第二电感，所述第一电感的一端连接第一输入端、另一端连接驱动网络，所述第二电感的一端连接第二输入端、另一端连接驱动网络。

4.如权利要求3所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述驱动网络的等效电容为LC输入匹配网络的匹配电容。

5.如权利要求1所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述驱动网络包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容和第一电阻，所述第一电容的一端与第二晶体管的栅极和第一电阻的一端以及LC输入匹配网络连接、另一端与第一晶体管的漏极和级间高阶匹配网络连接，所述第二电容的一端与第一晶体管的栅极和第一电阻的另一端以及LC输入匹配网络连接、另一端与第二晶体管的漏极和级间高阶匹配网络连接，所述第一晶体管的源极和第二晶体管的源极连接且接地。

6.如权利要求1所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述放大网络包括第七电容、第八电容、第三电阻、第三晶体管和第四晶体管，所述第七电容的一端连接第三电阻的一端和第四晶体管的栅极以及级间高阶匹配网络、另一端连接第三晶体管的漏极和输出高阶匹配网络，所述第八电容的一端连接第三电阻的另一端和第三晶体管的栅极以及级间高阶匹配网络、另一端连接第四晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极和第四晶体管的源极相连且接地。

7.如权利要求1所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述LC输入匹配网络为基于切比雪夫低通滤波器的2阶LC输入匹配网络。

8.如权利要求1所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述第三电感和第四电感的相连处通过第二电阻连接偏置电压。

9.如权利要求3所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述第一电感和第二电感的直径为60～90μm。

10.如权利要求3所述的多倍频程宽带功率放大器，其特征在于，所述第一电感、第二电感、第三电感、第四电感和/或第五电感采用传输线进行替换。