[发明专利]二维高速光电转换阵列芯片在审

专利信息
申请号: 202210418187.1 申请日: 2022-04-20
公开(公告)号: CN115469404A 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 赵明山;杨明祥;闫云婕;谷一英;武震林;赵士元 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G02B6/34 分类号: G02B6/34;G02B6/42;H04B10/11;H04B10/60
代理公司: 北京市铭盾律师事务所 11763 代理人: 常春
地址: 116086 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 二维 高速 光电 转换 阵列 芯片
【权利要求书】:

1.二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:包括

位于芯片的中部区域的光栅耦合器阵列,所述光栅耦合器阵列包括多个光栅耦合器用于同时接收包括空间光信号;

位于芯片四周边沿区域的光电探测器阵列,所述光电探测器阵列包括多个光电探测器用于分别将空间光信号中的每个光信号转化为微波信号,并且多通道并行地输出;

以及多个光波导,其中每个光波导连接所述光栅耦合器阵列中的一个光栅耦合器和所述光电探测器阵列中的一个光电探测器,用于将该光栅耦合器接收的光信号传输至所述光电探测器。

2.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光栅耦合器的排列布局规则排列结构或非规则排列结构。

3.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光栅耦合器阵列的排列为正向排列或正向和负向组合排列。

4.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光电探测器包括高速光电探测器,其按照N×1或N×2的线阵结构排列。

5.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光栅耦合器为均匀周期光栅耦合、或非均匀周期光栅耦合器、或反射镜光栅耦合器、或双输出光栅耦合器四种之一。

6.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光栅耦合器的有效孔径根据所述空间光束的尺寸确定。

7.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光栅耦合器被配置为接收任意入射角度的空间光束。

8.根据权利要求1所述的二维高速光电转换阵列芯片,其特征在于:所述光栅耦合器的有效孔径为几微米至几十微米。

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