[发明专利]一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法

权利要求书

1.一种塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法包括：

步骤一，在X光下定位器件的芯片的位置以及鉴别键合丝的种类，确定开封方案和刻蚀区域；通过激光对器件的塑封料进行减薄；

步骤二，配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液，并进行静置；通过锡纸将器件包裹起来，剥离至暴露出要开封的区域；

步骤三，加热炉进行预热，利用预热后的加热炉对配置好的溶液进行加热；通过滴管滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域；

步骤四，当芯片和器件的键合丝没有完整暴露出来，继续进行滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域，直至芯片和器件的键合丝完整的暴露出来；同时对开封后的器件进行超声清洗。

2.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤一中，通过激光对器件的塑封料进行减薄具体过程为：

通过激光对器件的塑封料进行减薄，减薄厚度至能观察到芯片的键合丝为止，键合丝的高度高于芯片，以避免损伤到芯片。

3.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤二中，配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液，并进行静置具体过程为：

配置浓硫酸、浓硝酸和苯并三唑的混合溶液并静置，浓硫酸和浓硝酸体积比为1:3.5，苯并三唑的浓度为1.7mg/L，静置时间为5～6min，充分溶合；

所述浓硫酸和浓硝酸体积比为1:3.5，苯并三唑的浓度为1.7mg/L，配合开封温度115±5℃，以共同实现铜键合引线的化学开封。

4.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤二中，通过锡纸将器件包裹起来，剥离至暴露出要开封的区域具体过程为：

通过锡纸将器件包裹起来，利用小刀将激光削薄后的区域的锡纸进行剥离,暴露出要开封的区域，以便后续进行滴酸试验。

5.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤三中，加热炉进行预热具体过程为：

加热炉开启，设定加热炉的温度为115±5℃，进行预热。

6.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤三中，利用预热后的加热炉对配置好的溶液进行加热具体过程为：

配置好的溶液放置在预热后的加热炉上，进行加热5min以上。

7.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤三中，通过滴管滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域具体过程为：

通过操作台承载通过锡纸包裹起来的器件，利用滴管滴取加热后的混合溶液，滴到器件要开封的区域，反应10-15S后，通过镊子取下器件进行观察。

8.如权利要求1所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法，其特征在于，所述步骤四中，对开封后的器件进行超声清洗具体过程为：

确定超声波清洗溶液，超声波清洗溶液包括丙酮、酒精和去离子水溶液；

用丙酮或酒精清洗，然后使用去离子水清洗；

最后采用丙酮或酒精再次清洗并放置在滤纸上晾干。

9.一种如权利要求1～8任意一项所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法在电子元器件的可靠性分析中的应用。

10.一种如权利要求1～8任意一项所述塑封铜键合引线半导体器件的开封方法在塑封铜键合引线集成电路的开封中的应用。