[发明专利]一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路

权利要求书

1.一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路，其特征在于，包括：BDW阈值忆阻器、电容、金氧半导场效晶体管MOSFET；

所述BDW阈值忆阻器具有双边不同窗口，所述BDW阈值忆阻器和电容并联，然后串联所述金氧半导场效的晶体管MOSFET；将所述金氧半导场效晶体管MOSFET的栅极电压作为输入电压，所述晶体管MOSFET的漏极作为输出，对所述电容充电，待所述电容上电压小于所述BDW阈值忆阻器的保持电压(Vh)，所述BDW阈值忆阻器变为高阻态，所述BDW阈值忆阻器分压变大，所述电容重新充电；所述半导场效晶体管MOSFET包括P型MOSFET和N型MOSFET，输入电压可以调谐输出脉冲频率，填加所述P型MOSFET，满足输入电压为负时，调谐脉冲的发射，当输入电压为负时，所述N型MOSFET关断呈现超高阻态，所述P型MOSFET打开；同理当输入电压为正时，所述P型MOSFET关断呈现超高阻态，所述N型MOSFET打开；通过时分复用的方式实现VFL-ReLU脉冲神经元编码，当输入为正时，使用正上拉电压VDD，此时利用忆阻器正向窗口实现VFL-ReLU脉冲神经元的正向编码；输入为负时，使用负的上拉所述电压VDD，此时利用所述BDW阈值忆阻器负向窗口实现VFL-ReLU脉冲神经元的负向编码。

2.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路,其特征在于，上拉所述电压VDD对电容两端进行充电，待忆阻器电容上电压大于忆阻器阈值转变电压(Vth)时，忆阻器转变为低阻态，忆阻器分压变小，电容放电。

3.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路,其特征在于，通过施加合适的偏置电压来平衡所述金氧半导场效晶体管MOSFET的开启电压。

4.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路,其特征在于，正向编码的频率大于负向编码的频率。