[发明专利]一种多孔MoO3

权利要求书

1.一种多孔MoO₃单晶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(S1)将含有钼源衬底、含氨气原料气的混合物接触反应Ⅰ，在钼源衬底上得到多孔MoN单晶材料衬底；

(S2)将含有上述多孔MoN单晶材料衬底、含氧气原料气的混合物接触反应Ⅱ，在多孔MoN单晶材料衬底上得到多孔MoO₃单晶材料；

反应Ⅰ中，温度：650℃～800℃，压力：100Torr～760Torr；

反应Ⅱ中，温度：600℃～700℃，压力：100Torr～760Torr；

所述钼源衬底为钼酸镉单晶晶体、钼酸铅单晶晶体中的一种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多孔MoO₃单晶材料中含有纳米孔道。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多孔MoO₃单晶材料为多孔MoO₃单晶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述多孔MoO₃单晶晶体的尺寸为0.1cm～30cm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述多孔MoO₃单晶晶体的尺寸为0.5cm～5cm。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述多孔MoO₃单晶为(010)面MoO₃多孔单晶晶体。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼源衬底为(100)面钼酸镉单晶、(001)面钼酸铅单晶、(100)面钼酸铅单晶、(110)面钼酸铅单晶中的任一种。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(S1)中的含氨气原料气为纯氨气或含氨气的混合气。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，含氨气的混合气中还含有氮气、氩气、氢气中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤(S1)混合物的原料气中，氨气的流量记为a，氮气的流量记为b，氩气的流量记为c，氢气的流量记为d，满足：

0.05SLM≤a≤100SLM；

0SLM≤b≤100SLM；

0SLM≤c≤100SLM；

0SLM≤d≤100SLM。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，反应Ⅰ中，

时间：10～100h。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，反应Ⅱ中，

时间：3～20h。

13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，含氧气原料气为含氧气的混合气。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，含氧气的原料气还包括氮气、氩气中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，氧气的流量记为a，氮气的流量记为b，氩气的流量记为c，满足：

0SLMa≤100SLM；

0SLM≤b≤100SLM；

DDD220136I

0SLM≤c≤100SLM。

16.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，氧气浓度为10％～100％；

流量为0.001SLM～1SLM。

17.权利要求2～16任一项所述的制备方法得到的多孔MoO₃单晶材料在光致变色、热催化、电催化电极材料、超级电容器材料中的应用。