[发明专利]晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202210485108.9 申请日: 2022-05-06
公开(公告)号: CN114926413A 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 陈伟;孙玲 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/62
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郭凤杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 表面 缺陷 检测 方法 装置 计算机 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,包括:

获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图;

基于所述第一缺陷分布图中的缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图几何图形,所述叠图几何图形的尺寸不小于对应的所述缺陷的缺陷尺寸;

对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图,获取第二缺陷分布图中的缺陷与所述叠图几何图形之间的相对位置关系,判断所述第二缺陷分布图中的各个缺陷是否为新增缺陷。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,基于所述第一缺陷分布图中的缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图几何图形,包括:

基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,所述叠图缺陷图形的尺寸与所述缺陷的缺陷尺寸相同;

将所述叠图缺陷图形外拓预设长度以形成所述叠图几何图形。

3.根据权利要求2所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述叠图缺陷图形包括矩形。

4.根据权利要求3所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述缺陷尺寸包括第一方向尺寸与第二方向尺寸,所述第一方向与所述第二方向垂直,

所述基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,包括:

将所述缺陷的所述第一方向尺寸,作为对应的所述叠图缺陷图形的第一方向尺寸;

将所述缺陷的所述第二方向尺寸,作为对应的所述叠图缺陷图形的第二方向尺寸。

5.根据权利要求2所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述叠图缺陷图形包括圆形。

6.根据权利要求5所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述缺陷尺寸包括第一方向尺寸与第二方向尺寸,所述第一方向与所述第二方向垂直,

所述基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,包括:

将所述各个缺陷的所述第一方向尺寸与所述第二方向尺寸中的较大者,作为对应的各个叠图缺陷图形的直径。

7.根据权利要求5所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述缺陷尺寸包括第一方向尺寸与第二方向尺寸,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述第一方向尺寸的平方为第一平方,所述第二方向尺寸的平方为第二平方,

所述基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,包括:

将所述各个缺陷的所述第一平方与所述第二平方之和的开平方,作为对应的各个叠图缺陷图形的直径。

8.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,判断所述第二缺陷分布图中的各个缺陷是否为新增缺陷的过程包括:

当所述第二缺陷分布图中缺陷的中心点在所述叠图几何图形内或上时,所述缺陷为重复性缺陷;

当所述第二缺陷分布图中缺陷的中心点在所述叠图几何图形外时,所述缺陷为新增缺陷。

9.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,所述第一缺陷分布图中包括离散缺陷和聚集缺陷。

10.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法,其特征在于,

对所述第一缺陷分布图中的各聚集缺陷,基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立所述缺陷的叠图几何图形;

对所述第一缺陷分布图中的各离散缺陷,基于所述缺陷的中心以及预设半径,建立所述缺陷的叠图几何图形。

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