[发明专利]晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质在审
申请号: | 202210485108.9 | 申请日: | 2022-05-06 |
公开(公告)号: | CN114926413A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 陈伟;孙玲 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/62 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭凤杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 缺陷 检测 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
本申请涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质。其中,晶圆表面缺陷的检测方法,包括:获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图;基于第一缺陷分布图中的缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应缺陷的叠图几何图形,叠图几何图形的尺寸不小于对应缺陷的缺陷尺寸;对第一缺陷分布图和第二缺陷分布图进行叠图,获取第二缺陷分布图中的缺陷与叠图几何图形之间的相对位置关系,判断第二缺陷分布图中的各个缺陷是否为新增缺陷。本申请实施例能够有效提高缺陷检测准确性。
技术领域
本申请涉及缺陷检测技术领域,特别是涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
缺陷检测在半导体制程中具有重要作用。通过对制程中的晶圆表面进行缺陷检测,可以及时发现晶圆异常,并对相关生产机台进行宕机以进行异常处理。通过进行缺陷检测可以有效提高最终形成的产品质量。
但是,目前的缺陷检测方式,存在容易产生误检,导致机台宕机次数过多而影响产能的现象。
发明内容
基于此,本申请实施例提供一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置、计算机设备和存储介质,其可以有效提高缺陷检测准确性。
一种晶圆表面缺陷的检测方法,包括:
获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图;
基于所述第一缺陷分布图中的缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图几何图形,所述叠图几何图形的尺寸不小于对应的所述缺陷的缺陷尺寸;
对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图,获取第二缺陷分布图中的缺陷与所述叠图几何图形之间的相对位置关系,判断所述第二缺陷分布图中的各个缺陷是否为新增缺陷。
在其中一个实施例中,基于所述第一缺陷分布图中的缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图几何图形,包括:
基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,所述叠图缺陷图形的尺寸与所述缺陷的缺陷尺寸相同;
将所述叠图缺陷图形外拓预设长度以形成所述叠图几何图形。
在其中一个实施例中,所述叠图缺陷图形包括矩形。
在其中一个实施例中,所述缺陷尺寸包括第一方向尺寸与第二方向尺寸,所述第一方向与所述第二方向垂直,
所述基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,包括:
将所述缺陷的所述第一方向尺寸,作为对应的所述叠图缺陷图形的第一方向尺寸;
将所述缺陷的所述第二方向尺寸,作为对应的所述叠图缺陷图形的第二方向尺寸。
在其中一个实施例中,所述叠图缺陷图形包括圆形。
在其中一个实施例中,所述缺陷尺寸包括第一方向尺寸与第二方向尺寸,所述第一方向与所述第二方向垂直,
所述基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,包括:
将所述各个缺陷的所述第一方向尺寸与所述第二方向尺寸中的较大者,作为对应的各个叠图缺陷图形的直径。
在其中一个实施例中,所述缺陷尺寸包括第一方向尺寸与第二方向尺寸,所述第一方向与所述第二方向垂直,所述第一方向尺寸的平方为第一平方,所述第二方向尺寸的平方为第二平方,
所述基于所述缺陷的中心以及缺陷尺寸,建立对应所述缺陷的叠图缺陷图形,包括:
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