[发明专利]一种存储器及其制备方法、存储系统

权利要求书

1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；

在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第一区域的第一停止层，所述图案化硬掩模层包括位于所述第一停止层上的第一开口图案，以及位于所述堆叠层上对应所述第二区域的沟道孔图案；

基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀，以在所述第二区域形成对应所述沟道孔图案的沟道孔。

2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一停止层相对于所述图案化硬掩模层的刻蚀选择比小于1。

3.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一区域用于形成栅线缝隙。

4.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述堆叠层还包括位于所述第二区域外围的第三区域；所述图案化硬掩模层中形成有覆盖所述第三区域的第二停止层；所述图案化硬掩模层还包括：

位于所述第二停止层上的第二开口图案。

5.根据权利要求4所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一开口图案和所述第二开口图案采用同一张掩模版形成。

6.根据权利要求4所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第三区域围绕所述第二区域的四周。

7.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述堆叠层上形成图案化硬掩模层的步骤包括：

在所述堆叠层上形成硬掩模层，所述硬掩模层中形成有所述第一停止层；

对所述硬掩模层进行刻蚀，以形成所述第一开口图案和所述沟道孔图案。

8.根据权利要求7所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一停止层离所述硬掩模层的底面的距离，小于所述第一停止层离所述硬掩模层的顶面的距离。

9.根据权利要求7所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述堆叠层上形成硬掩模层的步骤，包括：

在所述堆叠层上形成第一硬掩模层；

刻蚀所述第一硬掩模层，以形成对应所述第一区域的开口；

在所述开口中填充第一停止层；

形成覆盖所述第一硬掩模层和所述第一停止层的第二硬掩模层。

10.根据权利要求9所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述开口的深度小于所述第一硬掩模层的厚度。

11.根据权利要求9所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述开口的宽度大于所述第一区域的宽度。

12.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述基于所述图案化硬掩模层对所述堆叠层进行刻蚀的步骤之后，所述存储器的制备方法还包括：

去除所述图案化硬掩模层。

13.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一开口图案包括位于所述第一停止层上的多个虚拟孔。

14.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一开口图案为沿所述第一方向延伸的沟槽。

15.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一停止层的材料包括钨、多晶硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝其中之一。

16.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

堆叠结构，位于所述衬底上，且包括沿第一方向延伸的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；

多个沟道结构，贯穿所述第二区域的堆叠结构。

17.一种存储系统，其特征在于，包括：

如权利要求16所述的存储器；

控制器，所述控制器与所述存储器电连接，用于控制所述存储器存储数据。